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南方科技大學孫小衛(wèi):量子點顯示技術研究進展

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2020-12-07 來源:中國半導體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):542
近日,由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)主辦,南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2020)暨2020國際第三代半導體論壇(IFWS 2020)在深圳會展中心召開。
孫小衛(wèi)
期間,由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司共同協(xié)辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術”分會上,南方科技大學電子與電氣工程系講席教授孫小衛(wèi)分享了量子點顯示技術的主題報告。

QD是一種節(jié)能、高質(zhì)量的顯示技術。報告從顯示技術的沿革,QLED陽性老化、噴墨打印QLED、QLED中的光隧道效應、QLED的熱效應、QD 膜片等維度分享了最新的研究進展。涉及發(fā)光納米晶體、膠體量子點應用、窄線寬-WCG等具體技術。



 
 
報告顯示,ZnO/ZnMgO的RSE可能導致QLED的正老化,這為QLED的研究提供了一個新的視角。IJP適用于QLED。
(內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理,如有出入敬請諒解)
 
 
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