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碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本

放大字體  縮小字體 發布日期:2020-06-15 來源:第三代半導體產業網作者:Cree | Wolfspeed瀏覽次數:675
   今年早些時候,思科 (Cisco) 發布了其更新版的視覺網絡指數[1],預測在 2017 年至 2022 年期間,移動數據流量將增長七倍,達到每月 77.5 艾字節 (EB)。這相當于通過移動網絡移動了存儲在 190 億張 DVD 上的數據。而且是每個月。
 
  如今,這為移動網絡運營商帶來了巨大的商機。但它也預示著一項挑戰,即以合理的速度來回傳輸所有這些數據的能力。因為,不僅是數據絕對量是趨勢,同時也包括未來應用的類型,如增強現實 (AR) 和車輛對車輛 (V2V) 的通信等,這些都需要更低的延遲和更高的帶寬。這一需求將被下一代蜂窩通信標準 5G 所滿足。
 
  5G 在三個頻段
 
  高頻:這一頻率高于 24 GHz 的最高頻段,需要技術創新、重新設計和新型材料,因此運營商將需要付出比其他兩個頻段更高的成本。
 
  中頻:在sub-6 GHz 的頻率下,中頻對目前的 4G 標準進行了重要升級,并采用了當今的創新器件技術,如碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 器件,將大大減少了對系統設計的修改。物料清單 (BOM) 的變化相對較小,這意味著這一頻段對于首次推出 5G 及相關數據密集型的應用具有吸引力。到 2020 年,隨著第三代合作伙伴計劃 (3GPP) 的第 16 版完成,預計運營商將在這一頻段開展大量活動,并允許 5G 在公共頻段 (“NR-U”) 運行,如 5 GHz 和 6 GHz。
 
  低頻:更低的頻率 (< 2.2 GHz) 也可以用于 5G,如處理物聯網 (IoT) 數據,但只提供 4G 以上的增量升級。
  圖 1:據Yole Développement,到2025年,各種5G商業應用將使用在最合適的頻段,主流為sub-6 GHz的宏基站和小基站。[2]
 
  運營商痛點
 
  雖然更高的 5G 頻率可以提高速度和帶寬,但同樣的高頻更有定向性,信號更容易衰減。而且,僅僅增加帶寬并不會帶來容量的線性增加,因為更高的帶寬也會導致更低的信噪比 (SNR)。這就需要通過增強信號來克服,這意味著增加發射功率、增加天線數量、增加基站數量。或者,如同在 5G 場景下一樣,采用所有這些選項。
 
  為滿足數據容量需求而增加基站密度是有代價的。而且這可能會同時減少rooftop和塔臺位置的可獲性,以容納基站。
 
  運營商將需要更小、更輕的設備,以便安裝在以前不可行的地方。此外,更小、更輕設備的安裝更容易也更便宜,這可以轉化為更低的基站租金。
 
  尋求更小、更輕的基站
 
  大型網絡設備供應商已經轉向基于碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 的設計,而不是傳統的硅 (Si) 基器件,以滿足其基站的高頻率、高功率需求。
 
  雖然橫向擴散金屬氧化物半導體 (LDMOS) 工藝技術已使硅 (Si) 基器件進展到更高的功率密度,但與氮化鎵 (GaN) 的高頻率特性和碳化硅 (SiC) 的優越導熱性相比,它們仍顯得很蒼白。
 
  碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 使得系統能夠實現更高的功率密度,這將有助于不再需要像LDMOS 那樣采用大量熱管理硬件,從而減小基站尺寸。
 
  氮化鎵 (GaN) 內核?
 
  與 LDMOS 相比,氮化鎵 (GaN) 在 5G 頻率下的效率更高,這也意味著每比特/秒的運行成本更低,碳足跡也更少。Cree 旗下公司 Wolfspeed 是碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 器件市場的主導者。根據Wolfspeed預估,與使用 LDMOS 功率放大器的系統相比,在最大平均功率條件下工作時,碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 可以節省 200 瓦以上的直流功率。
 
  參考資料:
 
  [1]. 思科移動 VNI 預測與趨勢,2017 年至 2022 年:
 
  www.cisco.com/c/en/us/solutions/service-provider/visual-networking-index-vni/index.html#~mobile-forecast
 
  [2]. 5G 對電信基礎設施的影響,2019 年:
 
  www.i-micronews.com/products/5gs-impact-on-telecom-infrastructure-2019/
 
  關于Wolfspeed RF產品更多信息,敬請瀏覽:www.wolfspeed.com/rf
 
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