近日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
期間，“顯示工程應用” 分會如期召開。華燦光電股份有限公司副總裁李鵬做了題為《新一代顯示用LED芯片技術研究與展望》的報告。該報告指出Micro LED器件結構較LCD和OLED來說，更加輕薄靈活，直接將RGB LED單元直接集成到TFT玻璃基板上，除了目前造價過高之外，在響應速度、對比度、亮度、可視角度等等方面都具備絕對的優勢。
目前Mini RGB LED已經實現量產，Micro LED仍有待產業鏈上中下游的協同創新。到2025年，Micro LED市場規模將達到2.9B USD（HIS 數據）。
Micro LED核心技術包括：高度一致性的外延技術、微米級的芯片制造工藝、超高效的巨量轉移技術、全彩實現技術、TFT、驅動及背板設計、高效的壞點檢測修復技術。當前巨量轉移的技術路線包括：靜電吸附、電磁吸附、范德瓦爾斯力、流體裝配、激光燒灼，其對最終生產效率有至關重要的作用。
Micro LED核心技術包括：高度一致性的外延技術、微米級的芯片制造工藝、超高效的巨量轉移技術、全彩實現技術、TFT、驅動及背板設計、高效的壞點檢測修復技術。當前巨量轉移的技術路線包括：靜電吸附、電磁吸附、范德瓦爾斯力、流體裝配、激光燒灼，其對最終生產效率有至關重要的作用。
在外延芯片環節，量產面臨的三大難點是：外延高度一致性、壞點減少及控制技術、增大襯底外延尺寸以提高有效面積。
華燦芯片產品涵蓋垂直結構及倒裝芯片，現有設備可以實現10微米芯片的表面加工工藝。現有紅光Micro LED EQE可以達到13%。10-30 um的Micro LED已有Testing Demo。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
