第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。
 

近日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
 

期間，山西中科潞安紫外光電科技有限公司與中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦的“固態紫外器件技術”分會如期召開。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
 

會上，鄭州大學外籍教授Muhammad Nawaz SHARIF分享了《采用n-AlxGa1-xN低波導層連續分級生長的深紫外納米線激光二極管光學約束優化》的方法，他認為通過設計并模擬了262nm深紫外納米線激光二極管結構，提出了兩種參數相同的結構，其n-WG分級不同。并且針對NW-LD1具有x=0.75的n-AlXGa1-xN波導層，NW-LD2具有x=0.75-0.66的n-AlXGa1-xN波導層的兩種條件下，進行了模擬，結果表明，漸變n-WG比非漸變n-WG具有82%的光限域。連續分級使激活區域周圍的實際指數平滑變化，從而產生線性電特性。通過結論證明了可以采用n-AlxGa1-xN低波導層連續分級生長能優化UVC LED材料生長，提高其光學特性。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）