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三安集成電路有限公司陳東坡博士:三安光電化合物半導體發展規劃與進展

放大字體  縮小字體 發布日期:2019-11-29 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:827
化合物半導體是未來核心材料,市場逐步擴大,全球各大廠商都在布局化合物半導體產業鏈,在功率器件、射頻器件,與終端消費電子領域有極大市場。三安光電成為國內布局化合物半導體的佼佼者和代表企業,從2014年開始布局化合物半導體,依靠其在LED領域對GaN技術的理解,更快的轉化原有優勢,實現業務的全面布局。

2019年11月27日下午,由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2019)暨2019國際第三代半導體論壇(IFWS 2019)在深圳會展中心順利落下帷幕。

本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦,并得到深圳市龍華區科技創新局特別支持。國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業和信息化部原材料工業司、國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、深圳市科技創新委員會等大力支持。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
三安集成電路有限公司陳東坡博士
閉幕式上, 三安集成電路有限公司陳東坡博士做了題為“三安光電化合物半導體發展規劃與進展”的主題報告,結合化合物半導體的發展態勢,分享了三安光電的產業布局及業務進展等內容。

報告指出,化合物半導體有三大主要應用領域,包括微波射頻、電力電子和光電子。2023射頻元件市場預計達到350億美元其中,2017-2023年,濾波器 CARG 達19%, PA CARG達 7%。高集成度手機 FEM 已是中高端手機必備。通信市場是氮化鎵射頻器件增長的主要驅動力,2023年氮化鎵射頻市場規模13億美元,通信市場是最大的市場。SiC 在高功率轉化方面應用廣泛,GaN 在高頻轉換方面應用廣泛。

2023年SiC功率電子器件市場預計超15億美元,電動汽車已迎來爆炸式成長 (OBC, Tesla PCU, 充電樁), 未來是碳化硅電力電子主要成長動力,馬達驅動,電源供應,光伏,不斷電系統等需求亦持續增長。

VCSEL迎來爆發式增長,Datacom是VCSEL第一個大規模應用;當前消費類應用需求大增, 未來汽車和工業應用將產生更大的需求。VCSEL技術升級比以往更快,在消費類市場帶動下,2023市場規模年達到35億美金,未來6年的復合成長率有望接近50%。

陳東坡表示,三安光電將圍繞云(數據中心)、管(通訊網絡)、端(用戶終端)等提供解決方案。目前三安光電在Mini /micro LED、射頻、濾波器、電力電子、光通信等領域均有進展。其中,Micro-LED研究方面,已開發出直徑為20μm的Micro LED產品,三安還將生產4μmLED和10μm的LED倒裝芯片。計劃在2019年底前開始生產用于智能可穿戴設備、100英寸以上大尺寸面板和汽車尾燈等小尺寸面板的Micro LED產品。

集成氮化鎵功率器件,基于較為成熟的650V工藝,擴展其它領域的應用(大電流、高壓/低壓等)。(下一階段) 針對200/100V技術,開發更具有成本競爭力的產品。

SiC/GaN技術方面,三安可以一站式提供襯底,外延, 芯片制造及封裝、成品與代工制造。產業化推進方面,現有年產能9.6萬片/年(6吋),全面達產后將形成36萬片/年的規模。

 (內容根據現場資料整理,如有出入敬請諒解)

 
 
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