11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。 

11月26日下午，“顯示工程應用” 分會如期召開。中國光學光電子行業(yè)協(xié)會發(fā)光二極管顯示應用分會秘書長洪震，德國愛思強股份有限公司高級產品市場經理Arthur BECKERS，華燦光電股份有限公司副總裁李鵬，易美芯光（北京）科技有限公司梁越，河北工業(yè)大學教授徐庶，TCL工業(yè)研究院新型顯示技術部林智遠，雷曼光電技術研究中心總監(jiān)屠孟龍，山東晶泰星光電科技有限公司首席運營官孔一平，北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司產品經理黃紋綱，深圳市華星光電技術有限公司高工、博士黃衛(wèi)東等來自國內外產業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)的代表嘉賓聯(lián)袂帶來精彩報告。

量子點電致發(fā)光器件(QLED) 逐漸成為一種新興的顯示技術，其工作壽命是限制量子點顯示器發(fā)展的關鍵參數(shù)。易美芯光（北京）科技有限公司梁越帶來了題為“電荷轉移對量子點電致發(fā)光器件壽命的影響”的主題報告，報告指出，為了探究QLED退化的原因，研究在電子傳輸層和量子點發(fā)光層之間引入絕緣層，實驗證明QLED的可靠性得到了提高，證明PMMA可以減少界面處電荷轉移并減少非輻射復合，從而減慢QDs-ZnO層的老化。與相同條件下制備的QLED基礎器件相比，加入1.0 mg / ml的PMMA所制備的器件，最長使用壽命為28.7h，時長提高了50％。主要研究并實驗驗證了界面電荷轉移對器件老化的影響，為進一步提高量子點器件壽命奠定了基礎。

 

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