11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
11月27日上午，“固態紫外器件技術”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦。
第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，南京大學教授陸海，臺灣交通大學特聘教授郭浩中，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業大學教授張紫輝，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學高娜，南京大學王致遠等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。廈門大學教授康俊勇、中科院半導體所研究員、半導體照明研發中心主任王軍喜共同主持了本次分會。
寬帶隙半導體由于其大的帶隙能量，高的電子飽和速度，優異的輻射硬度和耐高溫性，最近在紫外線（UV）光電探測器應用中引起了廣泛的關注。這樣的光電探測器具有各種潛在的應用，包括火焰探測，環境監測，化學/生物制劑探測和太陽物理學。
會上，南京大學教授陸海做了題為“基于寬禁帶半導體以及相關應用的UV檢測儀器發展現狀”的在主題報告，回顧一些基于III族氮化物半導體和SiC的高性能UV光電探測器的材料生長，設計和制造方面的最新工作。各種紫外線光電探測器的優點將根據其各自的首選應用進行了討論。
報告指出，基于GaN和AlGaN的常規光電探測器已準備就緒，可用于商業應用。同時，由于材料質量的顯著提高，SiC單光子計數UV APD表現出了卓越的性能，可用于許多尖端應用。紫外線檢測器的潛在市場已顯示出明顯的增長趨勢。但是，可靠性和資格研究應該趕上一些嚴格的應用需求。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
