11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。

11月27日上午，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協(xié)辦。

第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優(yōu)勢，展現(xiàn)出巨大的應用潛力。分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。

挪威科學技術(shù)大學教授、挪威科學技術(shù)院院士Helge WEMAN，南京大學教授陸海，臺灣交通大學特聘教授郭浩中，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業(yè)大學教授張紫輝，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學高娜，南京大學王致遠等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現(xiàn)紫外發(fā)光和探測領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內(nèi)外最新進展。廈門大學教授康俊勇、中科院半導體所研究員、半導體照明研發(fā)中心主任王軍喜共同主持了本次分會。

目前AlGaN材料的深紫外LED主要用于消毒殺菌。會上，挪威科學技術(shù)大學教授，挪威科學技術(shù)院院士Helge WEMAN帶來了題為“采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED”的主題報告，介紹了石墨烯襯底AlGaN納米線外延生長技術(shù)。

2005年以來，Helge WEMAN教授在NTNU領(lǐng)導著一個科研小組研究用于光電應用程序的iii-v族半導體納米線和石墨烯。2012年六月，他參與創(chuàng)辦了Crayonano AS公司并任首席技術(shù)官兼董事。

他表示，石墨烯襯底AlGaN納米線外延生長技術(shù)比現(xiàn)有的薄膜技術(shù)更有優(yōu)勢。由于現(xiàn)階段深紫外LED缺乏足夠好的透明電極、高位錯密度、大部分采用比較貴的AlN襯底和AlN緩沖層等原因，因此價格都很高，而且發(fā)光效率低。首個用于論證的采用倒裝結(jié)構(gòu)的UV LED已經(jīng)完成，其采用的是雙層石墨結(jié)構(gòu)，其GaN/AlGaN的納米線采用MBE的技術(shù)進行生長，這種納米線具有很高的晶體質(zhì)量，并沒有很明顯的缺陷和應力問題。目前其研究檢測的結(jié)果顯示這種LED的發(fā)射波峰在365nm并沒有相關(guān)的缺陷黃光。

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）