11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心召開。 

11月26日上午，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)” 分會(huì)如期召開。本屆分會(huì)由蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用，近年來不斷獲得技術(shù)的突破。超寬帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

日本國立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)，瑞士Microdiamant研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian JENTGENS，鄭州大學(xué)教授、日本名古屋大學(xué)客座教授劉玉懷，西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)，北京大學(xué)劉放、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)趙曉龍等來自中外嘉賓聯(lián)袂帶來精彩報(bào)告。 

深紫外線檢測技術(shù)具有重要的應(yīng)用，例如紫外線成像，紫外線/紅外線雙重引導(dǎo)，預(yù)警系統(tǒng)，紫外線通訊，紫外線干擾等。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)趙曉龍做了題為“ Ga₂O₃半導(dǎo)體器件-深紫外光電探測器”的主題報(bào)告，介紹了Ga2O3材料和DUV光電探測器、各種用于光檢測的半導(dǎo)體、適用于UVPD的寬帶隙Ga2O3半導(dǎo)體等現(xiàn)狀，大規(guī)模Ga2O3襯底的方法以及Ga2O3外延層生長的各種方法。 

不過，Ga2O3光電探測器也存在挑戰(zhàn)，比如PD陣列中的串?dāng)_、持久光電導(dǎo)（PPC），材料方面，由于O空位缺陷，P型Ga2O3難以實(shí)現(xiàn)，低導(dǎo)熱性和流動(dòng)性；結(jié)構(gòu)上，Ga2O3 PN結(jié)尚未實(shí)現(xiàn)；功能上單光子檢測仍然具有挑戰(zhàn)性。 

報(bào)告同時(shí)指出，Ga2O3具有超寬的帶隙，低成本，高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，因此被認(rèn)為是最有前途的紫外線檢測材料之一。Ga2O3紫外線光電探測器在高電場，高輻照度和高溫等極端環(huán)境中具有巨大潛力；Ga2O3紫外光電探測器的研究仍處于起步階段，從材料（缺陷），器件結(jié)構(gòu)和加工方法等方面存在一系列關(guān)鍵的科學(xué)技術(shù)問題。

 

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）