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美國Lumiode, Inc.創立者兼總裁Vincent LEE:面向MicroLED顯示的III-V族LED與超薄硅晶體管集成技術

放大字體  縮小字體 發布日期:2019-11-27 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:455
    11月25-27日,由深圳市龍華區科技創新局特別支持,國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦,深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2019)暨2019國際第三代半導體論壇(IFWS 2019)在深圳會展中心召開。 

11月26日上午,“Micro-LED與其他新型顯示技術”分會如期召開。本屆分會由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、華燦光電股份有限公司、德國愛思強股份有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司協辦。 

法國原子能委員會電子與信息技術實驗室研究主任Francois TEMPLIER,北京大學教授陳志忠,德國ALLOS Semiconductors首席技術官Atsushi NISHIKAWA,美國Lumiode, Inc.創立者兼總裁Vincent LEE,北方華創PVD事業部LED產品經理郭冰亮,和蓮光電科技股份有限公司董事長邰中和,南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌,德國Instrument Systems optische Messtechnik GmbH的Tobias STEINEL等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。   

4.Vincent LEE              

在過去的幾年中,Micro-LED顯示器一直處于下一代顯示技術的最前沿。Micro-LED類別集中于傳質或基于集成的技術。范圍從3“-70”的直視式顯示器使用傳質方法將單個Micro-LED晶粒轉移到輔助基板上??梢酝ㄟ^將微型LED與CMOS集成電路進行芯片級鍵合,將LED外延層轉移到CMOS或將微型LED與薄膜晶體管(TFT)集成,來構建<2“的微型LED微型顯示器。

會上,美國Lumiode, Inc.創立者兼總裁Vincent LEE做了題為《面向Micro LED顯示的III-V族LED與超薄硅晶體管集成技術》的報告。報告介紹了該公司技術團隊在將Micro LEDs與Si TFTs進行集成方面的技術進展,其技術特點是在高亮度(如全白狀態下)Micro LED顯示能夠實現較低溫度,從而提升顯示產品的可靠性。

 

(內容根據現場資料整理,如有出入敬請諒解)

 
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