11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
 

11月26日上午，“超寬禁帶半導體技術” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
 

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，中國科學院微電子所研究員，西安電子科技大學教授張金風，瑞士Microdiamant研發部門負責人Christian JENTGENS，鄭州大學教授、日本名古屋大學客座教授劉玉懷，西安交通大學副教授李強，北京大學劉放、中國科學技術大學趙曉龍等來自中外嘉賓聯袂帶來精彩報告。

會上，鄭州大學教授劉玉懷做了題為“氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究”的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結晶度、微觀結構和鍵合結構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續和聚結的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。
 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）