11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心召開。
11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會(huì)如期召開。本屆分會(huì)由中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。本屆分會(huì)涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質(zhì)外延薄膜、測試表征和相關(guān)的設(shè)備，對(duì)SiC和GaN從機(jī)理到工業(yè)化進(jìn)程進(jìn)行系統(tǒng)的探討。
日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業(yè)大學(xué)兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學(xué)助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV， 鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學(xué)副教授林偉，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所何亞偉等來自中外的強(qiáng)勢力量聯(lián)袂帶來精彩報(bào)告。,北京大學(xué)物理學(xué)院教授、理學(xué)部副主任沈波，山東大學(xué)教授、晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任徐現(xiàn)剛共同主持了本次分會(huì)。
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所何亞偉做了題為“基于深層瞬態(tài)光譜學(xué)的Al/Ti 4H-SiC肖特基結(jié)構(gòu)缺陷研究”的主題報(bào)告，介紹了晶圓生長中的深層缺陷，退火對(duì)深層缺陷的影響，碳注入以增加載流子壽命等內(nèi)容。報(bào)告指出，表面粗糙度隨退火溫度的不同而變化，特別是當(dāng)溫度達(dá)到1400℃時(shí)，表面粗糙度開始急劇下降。載流子壽命隨著退火溫度的升高而降低。氧化有效降低了Z1 / 2缺陷濃度，但產(chǎn)生了一些新的深能級(jí)。碳注入和隨后的退火可以改善載流子的壽命，但同時(shí)也受到樣品表面嚴(yán)重降解的限制。碳注入和隨后在1600℃下退火的技術(shù)是延長載流子壽命的最佳方法。較高的退火溫度導(dǎo)致較高的Z1 / 2缺陷濃度。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
