11月25-27日由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導體設備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。本屆分會涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質外延薄膜、測試表征和相關的設備，對SiC和GaN從機理到工業化進程進行系統的探討。
日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業大學兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師Andrey SMIRNOV， 鄭州大學Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學副教授林偉，中國科學院半導體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波，山東大學教授、晶體材料國家重點實驗室副主任徐現剛共同主持了本次分會。
美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND做了題為“碳化硅裝備和PVT晶體生長的關系”的主題報告，介紹了了熔爐的某些方面及其對增長的影響，包括單晶碳化硅的應用，制作SiC晶體的工藝，制作SiC晶體的熔爐，生長壓力對生長速率的影響，溫度測量等內容，報告指出，在整個生長過程中，必須精確控制和改變壓力，盤管位置和溫度。良好的工藝和良好的熔爐，可以獲得高品質的6英寸晶體。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
