碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發(fā)展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、新能源汽車、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會，“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會由分會主席浙江大學(xué)特聘教授、電氣工程學(xué)院院長盛況和中山大學(xué)教授劉揚共同主持。
會上，美國弗吉尼亞理工大學(xué)助理教授Christina DIMARINO分享了《高電壓寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)》研究報告。2012年她作為研究生加入弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心(CPES)。2014年她取得電力電子系統(tǒng)中心的碩士學(xué)位，主要研究項目為碳化硅晶體管的高溫特性。2018年她取得中心的博士學(xué)位，研究項目為10 kV碳化硅功率MOSFET封裝。
她表示，寬禁帶功率半導(dǎo)體可以使高電壓的開關(guān)更高速，并已經(jīng)應(yīng)用在一部分領(lǐng)域中，其中包括中壓驅(qū)動、中壓直流海軍平臺、大規(guī)模風(fēng)力和太陽能平臺、先進分配系統(tǒng)、斷路器和轉(zhuǎn)換器。但是高電壓、高速的開關(guān)特點也是主要挑戰(zhàn)。高電壓會導(dǎo)致電場強度的上升，同時高速開關(guān)會導(dǎo)致很強的電磁感應(yīng)。現(xiàn)在的功率模塊封裝無法應(yīng)對這些挑戰(zhàn)并會限制其性能的發(fā)揮。新的技術(shù)和材料需要創(chuàng)造一種可以釋放高壓寬禁帶器件的封裝。報告主要討論高壓寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝，并提出針對10kV碳化硅MOSFET的改進封裝技術(shù)。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解】
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