碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。

　　2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會加拿大多倫多大學吳偉東教授主持。

　　會上，邀請到了美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH先生分享了《下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術》研究報告。Ismail Kashkoush博士于1993年獲得美國克拉克森大學（紐約州波茲坦）的工程科學博士學位。他現在負責管理美國NAURA-Akrion, Inc.公司的工程，技術和產品線團隊。Kashkoush博士于1988年加入半導體行業，此后在技術，工藝工程和產品開發領域擔任過各種研發職位。

 

　　通常高溫氣相清潔（超過1050°C）是一種去除外延生長之前襯底表面的氧化物以及其他污染物的傳統方法。但是最新的低溫外延生長技術對于外延前的溫度要求也相應比較低。然而低溫時的SiO2等物質的溶解率較低。為了解決這個問題，一種氟化氫（HF）的處理流程將被采用，該處理流程將會使襯底表面的缺陷變得很少，同時可以讓反應溫度降低到1050°C以下。本研究將分析多種外延之前的處理過程，并將不同的HF處理流程進行對比。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】