碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。

 

　　2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會加拿大多倫多大學吳偉東教授主持。

　　氮化鎵材料憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，穩穩地占領了理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，確立了其在制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。

　　會上，邀請到了美國Transphorm Inc.高級副總裁YifengWU先生分享了《擊穿電壓超過650V同時結溫超過150°C的氮化鎵功率器件》技術報告。Transphorm致力于讓功率電子設備突破硅極限。公司設計、制造并銷售用于高壓電源轉換應用的具備最高效能、最高可靠性的 GaN 半導體。Transphorm是首家發布出廠器件現場故障數據的高電壓GaN FET供應商。該數據用于計算以百萬分率(ppm)和故障率(FIT)表示的現場故障率，以顯示這項技術的可靠性。現場數據的可用性是功率系統中高電壓GaN重要的新指標，因為它表明技術的成熟性。

 

　　事實上，市場顯示的軌跡呈正增長趨勢。市場研究和戰略咨詢公司Yole Développement (Yole)報告稱，到2023年，功率GaN市場規模將快速擴大，達到4.08億美元，復合年增長率(CAGR)為91%.1有望推動增長的高電壓應用包括快速充電器、數據中心及其他高端電源。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】