11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導體設備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。會上，日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業大學兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師Andrey SMIRNOV，鄭州大學Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學副教授林偉，中國科學院半導體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波，山東大學教授、晶體材料國家重點實驗室副主任徐現剛共同主持了本次分會。
俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師Andrey SMIRNOV做了題為“碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術的氮化鎵生長模擬”的主題報告。Andrei SMIRNOV博士是俄羅斯STR Group Inc.的資深研發工程師兼產品線經理。他是大塊晶體生長模型、新型晶體生長系統的計算機模型開發、計算機模型的實驗驗證、以及建模和優化各種晶體生長技術的項目合作管理方面的專家。
報告中，Andrei SMIRNOV博士分享了通過VR 物理蒸汽傳輸（PVT）模擬軟件的應用案例展現最新的物理蒸汽傳輸（PVT）制備碳化硅晶體建模。該模擬同樣適用于碳化硅和氮化鎵的生長分析，他同時展示了最新的VR CVD 碳化硅模擬軟件。同時，討論了生長的條件、生長速率和摻雜均勻度。
并分析4H碳化硅SBD器件的結構，重點集中在襯底厚度、溫度、生長速率、晶格失配等問題。講解了氮化鎵MOCVD生長中的一些重要問題的解決方法，比如摻雜的不均勻度、晶圓尺寸變化、反應物的利用等。特別關注GaN/AlGaN層的本證摻雜和碳摻雜的生長條件的影響。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
