本屆大會由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟支持，國宏中宇科技發展有限公司與北京高威科電氣技術股份有限 公司協辦。本屆大會以形成研究機構、設備、生產及應用企業的協同創新機制，突破共性技術難題為主要目的，提升我國第三代半導體材料生產企業的技術能力， 故邀請產業鏈上下游、設備及關鍵零部件研究、生產單位專家代表共同深入研討。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山；中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟秘書長陸敏；北京天科合達半導體股份有限公司常務副總經理彭同華；湖南大學教授、博士生導師，國家高效磨削工程技術研究中心副主任尹韶輝；中科院半導體所研究員楊少延；大連理工大學教授、博士生導師，精密特種加工與微制造教育部國防重點實驗室主任康仁科；中微半導體設備(上海)股份有限公司副總裁郭世平；清華大學助理研究員、華海清科副總經理王同慶；北京高威科電氣技術股份有限公司董事長張潯；中電科13所重點實驗室副主任房玉龍；中電科55重點實驗室高工、副主任設計師李赟；中科鋼研節能科技有限公司副總經理趙然；中國電子科技集團公司第二研究所高工徐偉；河北同光晶體有限公司，副總工程師崔景光；瑞士微金剛中國區技術顧問師強；河南科技大學材料學院教授許榮輝；濟南力冠電子科技有限公司技術部長姜良斌；無錫邑文電子科技有限公司總經理廖海濤 ；北京北方華創微電子裝備有限責任公司SiC高溫爐產品經理李旭剛等專家及相關領域約140位代表參加了本次會議。
會議一共17個專家報告，分別來自大學、科研院所和企業。報告覆蓋了第三代半導體（SiC和GaN）材料的生長、加工的工藝、自動化管理、標準和裝備等多個方面，使與會者對第三代半導體材料加工技術及裝備的現狀和未來發展有了更進一步的了解。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山主持了大會開幕式。介紹了會議背景以及在場嘉賓。
研討會上半場，8位嘉賓分享了各自精彩的報告，8位嘉賓從各自的研究方向對晶體生長、劃切與拋光工藝、加工質量與外延缺陷分析分享了自己的感受。彭同華常務副總經理做了主題為“碳化硅晶體生長、加工技術和裝備”的報告。尹韶輝教授分享了題為“半導體材料劃切工藝及裝備技術”的報告。 楊少延研究員做了題為“中高壓氮化鎵功率電子器件制備生產關鍵技術及設備”的報告。康仁科教授做了題為”氮化鎵晶片的光電化學機械拋光加工“的報告。郭世平副總裁分享了題為“第三代半導體材料外延生長裝備現狀及展望”的報告。王同慶總經理做了題為“華屋建瓴，清流永進--拋光裝備國產化之路“的報告。房玉龍博士任作了題為“晶片加工質量對于生長高質量氮化鎵晶體的影響“的報告。李赟博士做了題為“鏡片加工質量對高質量碳化硅同質外延層的影響”的報告。
下午的會議上，9位報告嘉賓繼續就第三代半導體材料加工及裝備技術進行了精彩報告，大家圍繞自己公司的業務進展、技術瓶頸、合作期望進行了闡述，并就裝備智能化和標準建設等方面提出具有特色和創新性的思路。下午的研討會由中科鋼研節能科技有限公司副總經理趙然主持。
首先中科鋼研碳化硅實驗室加工部部長王錫銘做了“碳化硅襯底制備技術現狀、發展趨勢及工藝研究”的開場報告。徐偉博士做了“高純半絕緣碳化硅的精密加工”的報告。河北同光崔景光副總工程師做了“碳化硅襯底加工工藝研究”的報告。瑞士微金剛師強做了“多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應用及其關鍵工藝技術”的報告。河南科技大學許榮輝教授分享了“碳化硅襯底拋光與一種精拋料”的報告。濟南力冠姜良斌部長做了“第三代半導體材料生長裝備與工藝自動化”的報告。高威科益云信息系統高麗峰總監分享了“第三代半導體材料加工設備及其智能化”的報告。北方華創李旭剛經理做了“SiC器件高溫熱處理設備國產化進展”的報告。無錫邑文廖海濤總經理分享了“半導體二手設備市場評估與翻新標準化” 的報告。
