2018年12月9-12日,第三屆國際紫外材料與器件會議(IWUMD-2018)在云南省昆明云安會都酒店召開。會議吸引了來自中國、美國、俄羅斯、加拿大、德國、法國、日本、韓國等國在內的十二個國家和地區的270余位代表出席了本次會議。

開幕大會現場

大會程序委員會聯合主席、中國半導體研究所研究員 王軍喜 主持開幕式

大會主席、中科院半導體研究所照明研發中心主任 李晉閩為大會致辭

廈門大學校長張榮致辭并擔任嘉賓主持

大會程序委員會主席、北京大學王新強教授匯報會議情況

大會現場

培訓現場

分會一

分會二

分會三

分會四

海報展示

開幕大會現場

大會程序委員會聯合主席、中國半導體研究所研究員 王軍喜 主持開幕式
第一、第二屆IWUMD分別在中國北京、日本福岡舉辦。本屆會議由中國科學院半導體研究所、國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)和半導體照明聯合創新國家重點實驗室聯合主辦,北京大學、廈門大學、昆明理工大學共同協辦。同時還得到了中科潞安、TES、奧趨光電、中烏新材、大族激光、隆興達、脈科、美揚科技、納維科技、國星光電、中國電子科技集團有限公司第二研究所、Crosslight、Aixtron、北方華創、鴻利智匯等單位的大力支持。

大會主席、中科院半導體研究所照明研發中心主任 李晉閩為大會致辭

廈門大學校長張榮致辭并擔任嘉賓主持

大會程序委員會主席、北京大學王新強教授匯報會議情況
本次會議特別邀請了國內外在紫外材料和器件相關領域的20多位知名專家就AlN、BN和Ga2O3等的紫外材料的外延生長、物理機制和相關器件等方面做了特邀報告,充分展示了國內外在這些技術領域的最新成果和最新動態,特別是我國在紫外相關材料和器件方面的最新進展。目前我國的研發及產業化水平已達到國際先進水平。此外大會內容豐富,包括會前特邀五位國際專家進行了專題培訓;除了開閉幕大會以外,還設置了兩個并行分會,邀請報告、口頭報告和海報等環節,受到了參會代表的一致好評。

大會現場

培訓現場

分會一

分會二

分會三

分會四
由于半導體照明新興產業的帶動,紫外材料和器件技術及其相關應用得到了前所未有的快速發展。本次會議為國內外從事紫外材料和器件相關技術研發的科研人員提供相互了解和交流的機會,促進了國內外紫外材料和器件相關研究機構的溝通與合作,為進一步加快我國紫外材料和器件技術創新及該技術的產業化推廣應用起到了積極的作用。

海報展示

優秀論文頒獎

嘉賓現場交流


現場交流

現場交流
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IWUMD-2018精彩照片
更多精彩內容,敬請關注大會官網:
http://www.iwumd2018.com/dct/page/1

嘉賓現場交流


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