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上海大革成功開發導電型4H4寸碳化硅襯底

放大字體  縮小字體 發布日期:2018-11-30 來源:21世紀經濟報道瀏覽次數:798
   2018年11月,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)理事單位上海大革智能科技有限公司曹祐銘執行官,代表公司向國內半導體行業宣布上海大革成功開發出4H導電型碳化硅4寸襯底。這標志著上海大革智能科技有限公司自2015年啟動的碳化硅長晶及切磨拋項目,經過技術團隊反復的工藝驗證,取得了第一階段的成果。
上海大革成功開發導電型4H4寸碳化硅襯底
  2016年初,上海大革智能科技有限公司曹祐銘執行官,看到國內第三代半導體產業有著巨大的市場與發展潛力,決定正式啟動寬禁帶半導體材料碳化硅單晶的合成與加工項目。
 
  項目成立初期,曹祐銘執行官用巨資獲得了日本主要的碳化硅長晶設備廠家日新技研的技術指導,并且派遣技術團隊在日本學習碳化硅晶體合成技術。同時,上海大革獲得了日新技研的授權,成為中國唯一一家可以利用日新技研的技術專利與設備圖紙,在中國國內生產日新技研碳化硅單晶合成設備的企業。
上海大革成功開發導電型4H4寸碳化硅襯底
  上海大革智能科技有限公司在技術增長同時也是共同創辦人馮恒毅先生的帶領下,以日新技研的碳化硅長晶技術為基礎,同時又獲益與日新技研碳化硅單晶合成爐穩定的設備性能,使得碳化硅單晶合成技術得到了顯著的提高。
 
  目前,上海大革已經具備可以利用日新技研碳化硅單晶合成爐,生產4寸導電型碳化硅晶體,有效高度達到20mm。上海大革智能科技有限公司的第一批碳化硅芯片已經完成加工,送往國內外的外延與器件廠家驗證。
上海大革成功開發導電型4H4寸碳化硅襯底
  目前正在積極的與地方政府及半導體產業投資公司溝通交流,以期待盡快實現碳化硅單晶合成設備的產業化。公司計劃首期產業化的投資在人民幣2億以內,達到在碳化硅襯底片的量產的同時,實現碳化硅長晶設備的銷售。公司預計未來碳化硅晶體做為第三代半導體材料,隨著全世界對于高效能源的關注,將獲得非常巨大設備市場與襯底市場。
 
  同時,上海大革智能科技有限公司也積極布局產業鏈下游應用的研發。公司已經啟動3300V碳化硅器件的研發,未來將應用于國家電網、中車、南方電網等企業。同時,上海大革智能科技有限公司還將在固態變壓器領域布局,為未來的電力輸送,電能轉換存儲及智能電網提供技術支持。
 
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