2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以“創芯聚智 共享生態”為主題，吸引了來自海內外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業領袖、行業機構領導以及相關政府官員的積極參與，共同論道產業發展。

 

　　本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區人民政府主辦，國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家節能中心、深圳市科技創新委員會和張家港高新技術產業開發區特別支持，深圳市龍華區經濟促進局、深圳市龍華區科技創新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

開幕式現場
 

　　作為半導體照明領域年度國際盛會，中國國際半導體照明（SSLCHINA）系列論壇到今年已是第十五屆，其已發展成為半導體照明領域最具規模、參與度最高、口碑最好的全球性專業論壇。更是行業發展的風向標，引領全球半導體照明產業發展新趨勢。國際第三代半導體論壇（IFWS）則是第三代半導體產業在中國地區的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。在延續往屆成功經驗基礎之上，兩大盛會交相輝映，將熱點前沿一網打盡，合力為業界獻上一場年度饕餮大餐。

 

　　大會由全國政協教科衛體委員會副主任、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導委員會主任、國際半導體照明聯盟（ISA）主席曹健林擔任大會中方主席，美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授、2014年諾貝爾物理學獎得主中村修二與美國國家工程院院士、加州大學教授、Transphorm聯合創始人Umesh Mishra共同擔任大會外方主席。半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任、國家半導體照明工程研發與產業聯盟研發執行主席李晉閩主持了開幕環節。

 

　　碳化硅被半導體界公認為“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。功率半導體器件是電力電子系統的重要組成部分，由于材料質量的制約，其制造與商業化問題一直備受關注。

PowerAmerica執行副總裁兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授 Victor VELIADIS分享主題報告
 

　　會上，PowerAmerica執行副總裁兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor VELIADIS做了題為“碳化硅功率器件：制造與商業化之路”的主題報告，帶來最新的技術進展和前景趨勢分析。他表示，在日益電氣化技術驅動的世界中，電力電子是整個制造業經濟的核心。硅（Si）功率器件以其低成本批量生產能力、優異的原始材料質量、易加工和高可靠性而在電力電子器件中占據主導地位。盡管Si功率器件繼續取得重大進展，但它們正在接近其工作極限，這主要是因為它們的帶隙和臨界電場相對較低，導致較高的傳導率和開關損耗以及較差的高溫性能。

 

　　他強調說，碳化硅（SiC）所具有的良好材料特性，這將促使制備出小尺寸和簡單冷卻裝置的高效功率器件。在綜合代工廠因素和成本降低策略影響下，闡明了2022年10億美元的SiC器件市場路徑。報告介紹了目前大多數基于SiC的電力電子系統中的SiC MOSFET的設計考慮因素。總結了常見的SiC邊緣終止技術，該技術使得SiC器件能夠達到其全高壓電位，以及該技術對器件性能的影響。