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復(fù)旦大學(xué)田朋飛教授:智能GaN基micro-LED陣列

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2018-11-03 來源:中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)作者:JACK瀏覽次數(shù):496

近年來,隨著各種半導(dǎo)體發(fā)光材料和器件的不斷發(fā)展,新型顯示技術(shù)與照明技術(shù)的結(jié)合更加緊密,為未來顯示與照明技術(shù)的交叉和多元化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。從器件角度看,新型顯示與照明技術(shù)所對應(yīng)的發(fā)光器件包括:Micro-LED、有機發(fā)光二極管(OLEDs)、量子點發(fā)光二極管(QLEDs)、半導(dǎo)體激光器、鈣鈦礦發(fā)光二極管(PerLEDs),以及其他新型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其中,Micro-LED近年來發(fā)展尤為迅速,未來發(fā)展可期。

同時,GaN基micro-LED (μLED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能,可以實現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能μLED系統(tǒng)。至今為止,還未有將μLED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。

2018年10月23日-25日,第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2018)暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2018)在深圳會展中心盛大召開。24日,“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)”分會聚集了國內(nèi)外知名專家和企業(yè)代表,共同探討了Micro-LED等新型顯示技術(shù)前沿進(jìn)展。

田朋飛

“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)分會”作為論壇重要分會之一,今年繼續(xù)設(shè)定為“主題日”活動。分會得到了愛思強、德豪潤達(dá)、國星光電、晶科電子的支持協(xié)辦。會上,邀請了復(fù)旦大學(xué)的田朋飛教授分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。

他介紹說,通信(VLC)是一種有前途的無線通信,用于補充現(xiàn)有的無線通信技術(shù),以滿足不斷增長的高速通信需求。基于GaN基LED的可見光通信引起了人們極大的興趣。但是由于商用大尺寸LED具有較低調(diào)制帶寬,這限制了可實現(xiàn)的VLC數(shù)據(jù)速率,因此新型GaN基μLED被用來提高光電調(diào)制帶寬,進(jìn)而提高數(shù)據(jù)速率。大多數(shù)的研究都集中在使用μLED作為發(fā)射端來傳遞信號,然而,基于GaN的μLED也可以用作PD來進(jìn)行可見光通信。

提出并實驗驗證了使用GaN基μLED陣列作為PD來用于高速并行可見光通信,我們使用具有小光束發(fā)散角的405nm紫光激光二極管(LD)作為發(fā)射端。研究了基于100μm,60μm和40μm的不同直徑的μLED的PD的光電特性以及使用μLED陣列作為陣列PD的并行通信特性, 發(fā)射端到接收端的距離約為1米。對于不同尺寸的μLED基PD,最大數(shù)據(jù)速率分別為180 Mbps,175 Mbps和185 Mbps,相應(yīng)的誤碼率(BER)分別為3.5×10-3,3.7×10-3和3.5×10-3。【根據(jù)會議資料整理,如有出入敬請諒解!】

 
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