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青銅劍科技副總裁兼總工程師高躍:車用IGBT及SiC的門極驅動技術

放大字體  縮小字體 發布日期:2018-11-02 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:345
  2018年10月23-25日,由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、深圳市龍華區人民政府主辦的第十五屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2018)暨2018國際第三代半導體論壇(IFWS 2018)在深圳會展中心舉行。
 
 10月24日,“汽車照明與汽車電子”產業峰會如期召開,本屆峰會由廣東晶科電子股份有限公司協辦。廣東晶科電子股份有限公司董事長肖國偉、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山、精進電動科技股份有限公司創始人蔡蔚共同主持了本屆分會。會上,來自高校科研機構、檢測不同環節的專家齊聚,圍繞著LED汽車照明光源封裝,車燈模組以及整車應用全產業鏈,從各自專業的角度展開了深入的交流。
高躍
 
  門極驅動是電力電子變換裝置中信號控制能量的橋梁和紐帶,是集弱電和強電功能的重要部件。其功能是驅動、監測和保護作為功率開關的IGBT、SiC-MOSFET器件。青銅劍科技副總裁兼總工程師高躍做了題為“車用IGBT及SiC的門極驅動技術”的報告。結合汽車驅動應用的不同要求以及研究實踐,介紹了車用門極驅動技術、SiC-MOS門極驅動技術等的現狀,并呈現了IGBT與SiC驅動技術目前的進展。其中,SiC-MOS門極驅動技術中SIC功率器件具有低損耗、高頻率、高溫度等優勢,SiC功率器件應用中具有更高的開關頻率、減少體積、提高功率密度;SiC的電阻損耗特性、降低輕載時的損耗,減少體積、降低冷卻要求等優勢。SiC功率器件驅動設計時有諸多設計要點,比如器件上低閾值、低負壓耐受、低短路耐受易誤導通門極擊穿驅動設計。整機上,高dv/dt、高di/dt,容易影響瞬時震蕩、電磁干擾、電壓過沖、絕緣壽命等。
高躍報告截圖
 
  (內容根據現場資料整理,如有出入敬請諒解)
 
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