第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。誰掌握著技術的高地，誰就擁有更多的話語權。
2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團第十三研究所、蘇州能訊高能半導體有限公司支持協辦的“第三代半導體微波射頻技術分會”在河北半導體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。
“第三代半導體微波射頻技術分會”作為論壇重要技術分會之一，河北半導體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同擔任本次分會主席。日本德島大學教授，西安電子科技大學教授敖金平、荷蘭安譜隆有限責任公司晶圓級可靠性專家陶國橋等專家擔任分會委員為分會提供堅實的支持。
會上，來自臺灣長庚大學邱顯欽教授在《適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案》報告中介紹到，4G的普及正在推動新的5G移動通信網絡的國際標準的推出。中國已經開始規劃第五代(5G)無線通信頻段，頻率將集中在5G通信第一階段的亞6GHz頻段。5G技術需要連接數十億臺嵌入式設備的微單元，許多公司參加了此次活動，希望在5G硬件和軟件開發方面領先一步。
但是5G基站系統的開發還處于起步階段，因為我們在高功率基站行業中沒有關鍵的固態技術。此外，5G通信系統對功放線性度、輸出功率密度、功率增加效率等方面還存在一些嚴重的要求。在這次報告中，提供6英寸和8英寸GaN on Si RF HEMT技術解決方案，用于亞6GHz和毫米波波段。此外，采用高均勻性的p-GaN柵HEMT技術可以高效地實現微單元基站的DC/DC變換器。
