第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。誰掌握著技術的高地，誰就擁有更多的話語權。
2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團第十三研究所、蘇州能訊高能半導體有限公司支持協辦的“第三代半導體微波射頻技術分會”在河北半導體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。
“第三代半導體微波射頻技術分會”作為論壇重要技術分會之一，河北半導體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同擔任本次分會主席。日本德島大學教授，西安電子科技大學教授敖金平、荷蘭安譜隆有限責任公司晶圓級可靠性專家陶國橋等專家擔任分會委員為分會提供堅實的支持。
會上，OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎研發部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產品》主題報告。
報告中介紹說，隨著5G 28GHz和39GHz移動系統等先進毫米波通信應用的出現，要求開發高性能寬帶隙MMIC工藝和產品。在這方面，我們在Ommic已經能夠展示驚人的mmW MMIC結果使用100nm和60nm Si上GaN應用于20 GHz到90GHz的發射和接收。使用Si上GaN相當于GaN上SiC工藝的性能，但成本明顯較低，能夠滿足基礎設施網絡和手持設備的經濟性和性能要求。
演講中，首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。介紹了各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達35%，增益23 dB。和從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。最后，還分享了用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器工藝的性能。【根據會議資料整理，如有出入敬請諒解！】
