本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區人民政府主辦，國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家節能中心、深圳市科技創新委員會和張家港高新技術產業開發區特別支持，深圳市龍華區經濟促進局、深圳市龍華區科技創新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

　　“半導體裝備與智能制造”分會作為SSLCHINA論壇重要分會之一，由北京北方華創微電子裝備有限公司、中微半導體設備（上海）有限公司、維易科精密儀器國際貿易（上海）有限公司支持協辦。會上，來自江蘇大學左然教授分享了《AlN MOCVD的氣相和表面反應機理的量子化學計算》研究報告。

 

　　他介紹到，AlN是最重要的III-V族半導體之一。在III族氮化物（AlN、GaN和InN）中，AlN具有最寬的帶隙、與GaN較低的晶格失配和熱失配，以及最強的金屬-氮鍵。它特別適用于制備紫外/深紫外光電子器件，以及GaN基功率半導體異質結的緩沖層和過渡層。

 

　　在AlN MOCVD生長中，由于Al與N之間的強配位鍵，氣相寄生反應強烈，表面遷移率低，導致生長速率低，生長效率低，薄膜質量差。目前，AlN外延生長已成為制約AlN相關器件應用的瓶頸。深入了解AlN MOCVD的氣相和表面反應機理，對于改善生長工藝和薄膜質量具有重要意義。

 

　　所在課題組利用量子化學的密度泛函理論（DFT），對AlN MOCVD的氣相和表面反應進行的理論研究。在氣相反應中，已知三條反應路徑：TMAl直接熱解、TMAl氫解、以及TMAl與NH3的氨基物的形成和聚合。并尋找每條反應路徑所依賴的條件，包括反應器幾何結構和工藝參數，確定表面反應的主要前體，以及納米粒子形成的條件。

 

　　對于AlN的表面反應，研究主要的含Al粒子在AlN表面的吸附和擴散，包括僅含有A- C鍵的MMAl，以及含有A1-N核的氨基物DMANH2和Al(NH2)3，并比較在不同表面條件（理想或非理想）下的各種吸附結構、吸附能和擴散勢壘。并探討二維臺階生長的最佳條件及其與表面形貌、表面覆蓋率和氣相條件之間的關系。【根據會議資料整理，如有出入敬請諒解！】