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中南大學教授汪煉成:基于寬禁帶AlN的紫外光功能結構和器件

放大字體  縮小字體 發布日期:2018-11-01 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:303
   2018年10月23-25日,由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)與深圳市龍華區政府聯合主辦的第十五屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2018)暨2018國際第三代半導體論壇(IFWS 2018)在深圳會展中心舉行。
 
  10月24日下午,“固態紫外器件技術”分會如期舉行,分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料,高效量子結構設計及外延,以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
 
  美國Crystal IS.聯合創始人Leo SCHOWALTER,中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜,華中科技大學教授陳長清,北京大學副教授許福軍,三重大學助理教授永松謙太郎,中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢,廈門大學教授黃凱,中南大學教授汪煉成,南京大學蘇琳琳等中外同行專家帶來精彩報告,并分享各自的最新研究成果。廈門大學教授康俊勇,中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。
汪煉成
 
  紫外光在人類生活中扮演著重要的角色,包括激光設備、光刻機和滅菌機等,其中聚光透鏡是許多紫外設備的重要組成部分之一。傳統的光學紫外透鏡主要依靠光折射來實現波前整形,即紫外光通過光學介質傳輸,達到所需的相位補償,缺點是制造成本較高、體積較大。這不利于紫外納米光子學往微型化和高密度融合趨勢的發展。等離激元平面結構可以實現對光的振幅、偏振和相位控制,實現特殊光學功能,如超透鏡、全息圖、波過濾器、起偏器等。然而,基于金屬的等離子體基元在紫外光區由于高焦耳損耗而使其效率較低。高折射率介電材料,如硅(Si)、氧化鈦(TiO2)和氮化鎵(GaN)已有報道,分別用于近紅外和可見光譜區域。但即使對于寬帶隙TiO2、GaN,在紫外光區特別是深紫外光區吸收損失仍然較大,導致效率低。目前尚無關于介質材料的紫外超透鏡報道。
 
  中南大學教授汪煉成分享了基于寬禁帶AlN的紫外光功能結構和器件的研究成果,包括基于氮化鋁(AlN)超構表面的紫外光功能結構:紫外透鏡,紫外光分束器,和紫外反射鏡。基于氮化鋁(AlN)納米柱陣列結構的紫外超透鏡,實現對UVC (244nm)、UVB (308nm)和UVA (375nm)波長的聚焦功能,相應的聚焦效率分別為40.1%、41.9%和29.1%。氮化鋁(AlN)納米柱的高度為600nm,長度為60-80nm,寬度為20-40nm,周期為100nm[1]。基于在軸,離軸面內,離軸面外的聚焦設計,可潛在實現任意圖形,不同波長的紫外光聚焦圖案,即紫外光分束器。設計了紫外基于氮化鋁(AlN)納米柱陣列結構的紫外超構反射鏡。
 
  (內容根據現場資料整理,如有出入敬請諒解)
 
 
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