本屆論壇將以“創芯聚智 共享生態”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用，設置了包括固態紫外器件技術、碳化硅材料與電力電子器件技術、氮化鎵材料與電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

 

　　10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應用”分會召開。分會主題涵蓋寬禁帶半導體電力電子器件封裝設計、工藝、關鍵材料與可靠性評價等方面，邀請國內外知名與家參加本次會議展示寬禁帶半導體電力電子器件封裝技術及其可靠性評價的最新進展。

 

　　法國國家科學研究中心(CNRS)科學家Cyril BUTTAY，天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權，西安交通大學教授王來利，重慶大學教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室副主任、研究員黃潤華，中國科學院電工研究所研究員寧圃奇，香港應用科技研究院有限公司電子元件部高級經理李天河等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權主持了本屆分會。

 

　　會上，法國國家科學研究中心(CNRS)科學家Cyril BUTTAY帶來了10 kV SiC MOSFET封裝之電氣和熱性能之間的權衡的報告。碳化硅晶體管可以實現10kV以上的阻塞電壓。這使得它們對能量傳輸和分配有很強的吸引力。雖然理論上SiC設備可以工作在高溫(超過200°C),SiC場效應管的開態電阻強烈依賴于結溫。Cyril BUTTAY表示，研究結果表明，這些晶體管必須實際操作在一個相對較低的結溫(小于100°C)來提高轉換效率,防止熱失控。這種對高性能冷卻系統的要求對封裝技術產生了影響:相應的電源模塊必須既具有高電壓絕緣又具有低熱阻。特別地，在碳化硅裝置和冷卻系統之間的陶瓷基板的厚度之間有一個權衡。Cyril BUTTAY及其研究團隊提出并證明了一種新的襯底結構，其特點是提高了襯底的電壓強度而不增加襯底的厚度。

 

　　（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）