2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與深圳市龍華區政府聯合主辦。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。

 

　　25日上午，IFWS 2018之“氮化鎵材料與器件技術”分會召開。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。

 

　　會上，日本名城大學副教授Motoaki IWAYA，香港科技大學教授陳敬，電子科技大學教授明鑫，加拿大多倫多大學教授吳偉東，德國亞琛工業大學教授、AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN，北京大學高級工程師楊學林，中科院半導體所張翔等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米測試中心研究員、蘇州納維科技有限公司董事長徐科，電子科技大學教授張波與中山大學電力電子及控制技術研究所所長、廣東省第三代半導體GaN材料與器件工程技術研究中心主任劉揚共同主持了本屆分會。

 

　　與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題。現有的氮化鎵驅動集成電路需要外部電阻器設定上拉速度和下拉速度，這將導致印刷電路板空間和額外寄生效應的增加?，F有的氮化鎵驅動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應用。

 

　　會上，加拿大多倫多大學教授吳偉東介紹了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅動集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調節輸出電阻、可調節電流傳感比率、可實現片上智能數字控制。該集成電路設計應用于驅動帶有內置低壓硅場效應晶體管的共源共柵結構的D型氮化鎵HEMT器件。借助片上堆棧CPU，該完全集成的柵極驅動集成電路，能夠實現靈活的內部控制、電流模式調節、快捷的振鈴抑制和效率提升。內置CPU帶有一個100MHz的內部系統時鐘，能夠產生100kHz到50MHz的脈沖寬度調制信號。借助4比特動態鏈接庫模塊，該混合型 DPWM能夠實現625像素的分辨率。應用本論文提出的技術，在不犧牲開關轉換速度的前提下，HEMT器件柵極節點處的振鈴減少86%，電流尖峰減少83%。

 

　　（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）