2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司支持協(xié)辦的“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”在河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。

 

　　“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”作為論壇重要技術(shù)分會之一，河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同擔(dān)任本次分會主席。日本德島大學(xué)教授，西安電子科技大學(xué)教授敖金平、荷蘭安譜隆有限責(zé)任公司晶圓級可靠性專家陶國橋等專家擔(dān)任分會委員為分會提供堅(jiān)實(shí)的支持。

　　會上，OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報(bào)告，報(bào)告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達(dá)35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來演示這些工藝的性能。

　　臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授在《適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案》中介紹到，4G的普及正在推動新的5G移動通信網(wǎng)絡(luò)的國際標(biāo)準(zhǔn)的推出。中國已經(jīng)開始規(guī)劃第五代(5G)無線通信頻段，頻率將集中在5G通信第一階段的亞6GHz頻段。5G技術(shù)需要連接數(shù)十億臺嵌入式設(shè)備的微單元，許多公司參加了此次活動，希望在5G硬件和軟件開發(fā)方面領(lǐng)先一步。但是5G基站系統(tǒng)的開發(fā)還處于起步階段，因?yàn)槲覀冊诟吖β驶拘袠I(yè)中沒有關(guān)鍵的固態(tài)技術(shù)。此外，5G通信系統(tǒng)對功放線性度、輸出功率密度、功率增加效率等方面還存在一些嚴(yán)重的要求。在這次報(bào)告中，提供6英寸和8英寸GaN on Si RF HEMT技術(shù)解決方案，用于亞6GHz和毫米波波段。此外，采用高均勻性的p-GaN柵HEMT技術(shù)可以高效地實(shí)現(xiàn)微單元基站的DC/DC變換器。

　　中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報(bào)告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點(diǎn)。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾波器的中心頻率高達(dá)703.3 MHz，為鈮酸鋰器件的1.65倍。制備的AlN基SAW諧振器的品質(zhì)因數(shù)為1347，AlN基SAW 濾波器的插入損耗為8.71 dB。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明AlN材料在超高頻濾波器、傳感器方面具有重要的應(yīng)用前景。

　　日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報(bào)告中介紹到：無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天線整流電路中實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率的器件。這種肖特基勢壘二極管需要具備低導(dǎo)通電阻、低結(jié)電容和低開啟電壓。本報(bào)告將介紹用于微波無線電能傳輸?shù)牡壭ぬ鼗鶆輭径O管。利用反應(yīng)性磁控濺射合成的TiN電極的氮化鎵肖特基勢壘二極管，與Ni電極相比具有更低的開啟電壓。反之，利用反應(yīng)性磁控濺射合成的NiN電極的氮化鎵肖特基勢壘二極管，與Ni電極相比具有更低的反向漏電流。不同的器件可望在不同接收功率的系統(tǒng)中得到應(yīng)用?？傊?，氮化鎵射頻肖特基勢壘二極管可望提高微波無線電能傳輸中的天線整流電路的 RF/DC轉(zhuǎn)換效率，應(yīng)用前景可觀。

　　蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景。基礎(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確保生產(chǎn)出的氮化鎵產(chǎn)品能夠達(dá)到最高可靠性標(biāo)準(zhǔn)。在這個報(bào)告中與大家分享我們?nèi)〉玫某删图靶逻M(jìn)展。

　　西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大震蕩頻率達(dá)到130GHz。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)能夠有效的提升常關(guān)型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件的跨導(dǎo)峰值和頻率特性。

　　最后，來自河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強(qiáng)分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報(bào)告。