2018年10月23日-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心盛大召開。24日，“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)”分會聚集了國內(nèi)外知名專家和企業(yè)代表，共同探討了Micro-LED等新型顯示技術(shù)前沿進展。

　　“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)分會”作為論壇重要分會之一，今年繼續(xù)設(shè)定為“主題日”活動。分會得到了愛思強、德豪潤達、國星光電、晶科電子的支持協(xié)辦。上半場，來自加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授、香港科技大學(xué)首席教授劉紀(jì)美、北京大學(xué)陳志忠教授、復(fù)旦大學(xué)張樹宇副教授、廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理桑永昌、俄羅斯STR 集團有限公司Mark RAMM；下半場，由來自臺灣交通大學(xué)佘慶威博士、南方科技大學(xué)副教授劉召軍、廈門大學(xué)電子科學(xué)系教授，福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍、北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲、南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授劉斌、德國愛思強產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT、復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛等國內(nèi)外知名專家學(xué)者企業(yè)代表為分會奉獻了高水準(zhǔn)研究報告。

　　臺灣交通大學(xué)佘慶威博士他在會上分享了《可實現(xiàn)全彩微顯示的新型微結(jié)構(gòu)LED》研究報告。他介紹說，我們研究了一種新型微結(jié)構(gòu)Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實現(xiàn)發(fā)光波長從480nm藍光到535nm綠光的變化，接著在藍光NRLED上噴涂紅色量子點材料進行色彩轉(zhuǎn)換，即可在同一材料上實現(xiàn)RGB全彩微顯示。

 

　　并且，我們對NRLED的發(fā)光效率以及量子點材料的色轉(zhuǎn)換效率進行了改善與提升。為了提高NRLED芯片的發(fā)光效率，我們利用原子層沉積ALD技術(shù)，在NRLED芯片的側(cè)壁上沉積不同厚度的氧化鋁保護層，再通過對比不同厚度保護層對芯片發(fā)光性能的改善程度，得到最優(yōu)化的ALD層厚度以及光效最高的NRLED芯片。

 

　　為了增加量子點材料的色轉(zhuǎn)換效率，我們采用高精度AJ量子點噴涂技術(shù)杜絕相鄰像素間量子點沉積時的串?dāng)_現(xiàn)象，并且開發(fā)DBR反射板覆蓋于量子點色轉(zhuǎn)換層上，實現(xiàn)激發(fā)光的重復(fù)利用并且增加量子點材料的發(fā)光強度，我們還通過噴涂量子點材料與NRLED芯片的有源區(qū)進行直接接觸，利用非輻射能量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象進一步實現(xiàn)量子點色轉(zhuǎn)換效率的躍升。【根據(jù)資料整理，如有出入敬請諒解！】