近年來，隨著各種半導(dǎo)體發(fā)光材料和器件的不斷發(fā)展，新型顯示技術(shù)與照明技術(shù)的結(jié)合更加緊密，為未來顯示與照明技術(shù)的交叉和多元化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。從器件角度看，新型顯示與照明技術(shù)所對應(yīng)的發(fā)光器件包括：Micro-LED、有機發(fā)光二極管（OLEDs）、量子點發(fā)光二極管（QLEDs）、半導(dǎo)體激光器、鈣鈦礦發(fā)光二極管（PerLEDs），以及其他新型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其中，Micro-LED近年來發(fā)展尤為迅速，未來發(fā)展可期。

　　2018年10月23日-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心盛大召開。24日，“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)”分會聚集了國內(nèi)外知名專家和企業(yè)代表，共同探討了Micro-LED等新型顯示技術(shù)前沿進展。

 

　　本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦，國家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國家科學(xué)技術(shù)部國際合作司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會和張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟促進局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

　　“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)分會”作為論壇重要分會之一，今年繼續(xù)設(shè)定為“主題日”活動。分會得到了愛思強、德豪潤達、國星光電、晶科電子的支持協(xié)辦。上半場，來自加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授、香港科技大學(xué)首席劉紀(jì)美教授、北京大學(xué)陳志忠教授、復(fù)旦大學(xué)張樹宇副教授、廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理桑永昌、俄羅斯STR 集團有限公司Mark RAMM；下半場，有來自臺灣交通大學(xué)佘慶威教授、南方科技大學(xué)副教授劉召軍、廈門大學(xué)電子科學(xué)系教授，福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍、北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲、南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授劉斌、德國愛思強產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT、復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛等國內(nèi)外知名專家學(xué)者企業(yè)代表為分會奉獻了高水準(zhǔn)研究報告。

　　加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實現(xiàn)Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

　　香港科技大學(xué)首席劉紀(jì)美教授在《Micro-LED顯示屏：單片方法的優(yōu)點和問題》報告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應(yīng)用中的成熟的LED技術(shù)很常見。近年來，LED在微顯示器上的應(yīng)用越來越受到人們的關(guān)注。與其他現(xiàn)有的微顯示技術(shù)相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩(wěn)定性和魯棒性等方面具有優(yōu)勢。最重要的是在明亮的日光下的能見度。

 

　　全彩色micro-display的實現(xiàn)仍然是最大的挑戰(zhàn)，因為有選擇地在一個基片上生長三個不同波長的發(fā)光二極體，以產(chǎn)生三種原色是不現(xiàn)實的。致力于投影顯示應(yīng)用，我們演示了一種新型的3LED燈光引擎，可以在屏幕上投影全彩色視頻。3LED由三色棱鏡組成，它結(jié)合了三種LED微顯示器產(chǎn)生的RGB圖像，這三種微型顯示器基于AlGaInP(紅色)和GaN(綠色和藍色)材料。在近眼顯示應(yīng)用中，通過噴墨打印技術(shù)在微LED陣列上打印RGB量子點，實現(xiàn)了高畫質(zhì)全彩色LED微顯示。

　　北京大學(xué)陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報告中指出，我們制作不同直徑微柱μLEDs不同波長和不同的基質(zhì)。測量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達到300 kA / cm2 20μm紫外線導(dǎo)致氮化鎵襯底。效率為μLEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運和重組過程。綜合量子漂移-擴散模型考慮了多體效應(yīng)。并介紹了超高注入機理。

　　復(fù)旦大學(xué)副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點薄膜》主題報告中表示，全無機CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(QDs)由于其優(yōu)異的光學(xué)性能，包括極高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調(diào)發(fā)射，很可能成為下一代量子點顯示技術(shù)。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結(jié)晶，為低成本大批量生產(chǎn)CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩(wěn)定性性能與傳統(tǒng)QDs不具有可比性，嚴(yán)重限制了其實際應(yīng)用。

　　廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理桑永昌介紹了《Micro 和 Mini LED 焊接技術(shù)》主題報告。

　　俄羅斯STR 集團有限公司Mark RAMM介紹了《塑造μ-LED芯片形成內(nèi)部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復(fù)合引起的效率下降和表面復(fù)合成為限制器件性能的主要因素。特別是當(dāng)器件尺寸減小時，表面復(fù)合導(dǎo)致μ-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對μ-LED的研究主要集中在它們的電流調(diào)制特性上。直到最近，效率提高才成為μ-LED的研究熱點。通常，μ-LED的外量子效率（EQE）的最大值不超過10％，這歸因于來自LED管芯的非最佳出光。 最近報道了一個10×10 μm2的器件在35 A / cm2的電流密度下，得到了40.2%的EQE值，其到硅片的出光折射率為1.41 [1]。這些μ-LED使用異形藍寶石作為LED結(jié)構(gòu)的襯底，并最小化器件發(fā)射表面上的金屬電極面積，以改善它們的LEE?！靖鶕?jù)資料整理，如有出入敬請諒解！】