本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦，國(guó)家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國(guó)家科學(xué)技術(shù)部國(guó)際合作司、國(guó)家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國(guó)家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)和張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟(jì)促進(jìn)局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員 曾一平

　　“半導(dǎo)體裝備與智能制造”分會(huì)作為SSLCHINA論壇重要分會(huì)之一，由北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司、維易科精密儀器國(guó)際貿(mào)易（上海）有限公司支持協(xié)辦，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員曾一平主持。

沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué) Kazuhiro OHKAWA教授
 

　　會(huì)上，來(lái)自沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)的Kazuhiro OHKAWA教授、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司產(chǎn)品總監(jiān)董博宇、江蘇大學(xué)左然教授、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁 & MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平、美國(guó)維易科精密儀器有限公司市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)Mark MCKEE、中電科電子裝備集團(tuán)有限公司離子注入機(jī)技術(shù)總監(jiān)張叢和南京大學(xué)陳琳分別從各自擅長(zhǎng)領(lǐng)域帶來(lái)半導(dǎo)體裝備及技術(shù)工藝最新研究進(jìn)展。

 

　　AlGaN MOVPE通常采用低壓生長(zhǎng)。在大氣壓下，其生長(zhǎng)速率會(huì)顯著下降。來(lái)自沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長(zhǎng)優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計(jì)》研究報(bào)告。報(bào)告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長(zhǎng)。考慮到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長(zhǎng)速率和組分與實(shí)驗(yàn)中的非常一致。這一技術(shù)使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設(shè)計(jì)升級(jí)反應(yīng)器。

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司產(chǎn)品總監(jiān) 董博宇

　　北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司產(chǎn)品總監(jiān)董博宇帶來(lái)了《磁控濺射制備的ITO薄膜在LED領(lǐng)域中的開(kāi)發(fā)及應(yīng)用》主題報(bào)告。

 

　　AlN是最重要的III-V族半導(dǎo)體之一。在III族氮化物（AlN、GaN和InN）中，AlN具有最寬的帶隙、與GaN較低的晶格失配和熱失配，以及最強(qiáng)的金屬-氮鍵。它特別適用于制備紫外/深紫外光電子器件，以及GaN基功率半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的緩沖層和過(guò)渡層。在AlN MOCVD生長(zhǎng)中，由于Al與N之間的強(qiáng)配位鍵，氣相寄生反應(yīng)強(qiáng)烈，表面遷移率低，導(dǎo)致生長(zhǎng)速率低，生長(zhǎng)效率低，薄膜質(zhì)量差。目前，AlN外延生長(zhǎng)已成為制約AlN相關(guān)器件應(yīng)用的瓶頸。深入了解AlN MOCVD的氣相和表面反應(yīng)機(jī)理，對(duì)于改善生長(zhǎng)工藝和薄膜質(zhì)量具有重要意義。

江蘇大學(xué) 左然教授
 

　　江蘇大學(xué)左然教授分享了《AlN MOCVD的氣相和表面反應(yīng)機(jī)理的量子化學(xué)計(jì)算》研究報(bào)告。他介紹到，課題組利用量子化學(xué)的密度泛函理論（DFT），對(duì)AlN MOCVD的氣相和表面反應(yīng)進(jìn)行的理論研究。在氣相反應(yīng)中，已知三條反應(yīng)路徑：TMAl直接熱解、TMAl氫解、以及TMAl與NH3的氨基物的形成和聚合。將尋找每條反應(yīng)路徑所依賴的條件，包括反應(yīng)器幾何結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)，確定表面反應(yīng)的主要前體，以及納米粒子形成的條件。對(duì)于AlN的表面反應(yīng)，我們將研究主要的含Al粒子在AlN表面的吸附和擴(kuò)散，包括僅含有A- C鍵的MMAl，以及含有A1-N核的氨基物DMANH2和Al(NH2)3，并比較在不同表面條件（理想或非理想）下的各種吸附結(jié)構(gòu)、吸附能和擴(kuò)散勢(shì)壘。并探討二維臺(tái)階生長(zhǎng)的最佳條件及其與表面形貌、表面覆蓋率和氣相條件之間的關(guān)系。

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁 & MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理 郭世平

 

　　中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁 & MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來(lái)了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)及外延生長(zhǎng)的挑戰(zhàn)》主題報(bào)告。

美國(guó)維易科精密儀器有限公司市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān) Mark MCKEE

　　美國(guó)維易科精密儀器有限公司市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)Mark MCKEE分享了《Micro-LED顯示屏：關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)和MOCVD技術(shù)》報(bào)告。他介紹到，微型LED顯示屏比其他顯示技術(shù)，如背光LED顯示屏、OLED顯示屏和等離子顯示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加堅(jiān)固柔韌。然而，微型LED顯示屏的缺點(diǎn)之一是制作復(fù)雜，這導(dǎo)致了較高的顯示成本。在嚴(yán)格堅(jiān)持目標(biāo)成本的同時(shí)，微型LED顯示屏優(yōu)秀性能和良率為其制造帶來(lái)了許多挑戰(zhàn)。報(bào)告中提出，從外延和LED轉(zhuǎn)換方面對(duì)微型LED顯示屏進(jìn)行成本分析。展示移動(dòng)外延和大規(guī)模轉(zhuǎn)移方面的進(jìn)展，以優(yōu)化顯示器的總成本。

中電科電子裝備集團(tuán)有限公司離子注入機(jī)技術(shù)總監(jiān) 張叢

　　中電科電子裝備集團(tuán)有限公司離子注入機(jī)技術(shù)總監(jiān)張叢分享了《國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)發(fā)展及應(yīng)用》主題報(bào)告。

南京大學(xué) 陳琳
 

　　南京大學(xué)陳琳介紹了《6英寸GaN襯底生長(zhǎng)用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬》主題報(bào)告。他介紹說(shuō)，為提高寬帶隙半導(dǎo)體光電器件的性能，高質(zhì)量、大面積和低成本GaN襯底的需求日益迫切。氫化物氣相外延是制備大尺寸高質(zhì)量GaN襯底的最廣泛應(yīng)用的方法。采用CFD方法對(duì)6英寸HVPE系統(tǒng)的生長(zhǎng)腔進(jìn)行了三維仿真模擬和優(yōu)化，對(duì)腔體中的關(guān)鍵幾何參數(shù)、反應(yīng)壓力以及襯底旋轉(zhuǎn)等的影響進(jìn)行了數(shù)值分析。模擬研究表明，在改變襯底位置時(shí)，V/III比分布的改變可以使得生長(zhǎng)速率的均勻性得到優(yōu)化；襯底轉(zhuǎn)速的調(diào)整可以使氣體流線分布更整齊，通過(guò)消除渦旋從而提高生長(zhǎng)質(zhì)量。【根據(jù)會(huì)議資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解。】