本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區人民政府主辦，國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家節能中心、深圳市科技創新委員會和張家港高新技術產業開發區特別支持，深圳市龍華區經濟促進局、深圳市龍華區科技創新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
 

     本屆論壇為期3天，同期二十余場次會議，25日上午 “氮化鎵材料與器件技術”分會如期召開，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

 

      會上，日本名城大學副教授Motoaki IWAYA，香港科技大學教授陳敬，電子科技大學教授明鑫，加拿大多倫多大學教授吳偉東，德國亞琛工業大學教授、AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN，北京大學高級工程師楊學林，中科院半導體所張翔等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米測試中心研究員、蘇州納維科技有限公司董事長徐科，電子科技大學教授張波與中山大學電力電子及控制技術研究所所長、廣東省第三代半導體GaN材料與器件工程技術研究中心主任劉揚共同主持了本屆分會。

      日本名城大學副教授Motoaki IWAYA 帶來了關于基于AlGaN 激光的發展現狀的報告。

     集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統解決方案的智能功率芯片技術成為未來功率系統的最佳選擇。然而，傳統的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。

     與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題。現有的氮化鎵驅動集成電路需要外部電阻器設定上拉速度和下拉速度，這將導致印刷電路板空間和額外寄生效應的增加。現有的氮化鎵驅動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了關于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC的精彩報告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅動集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調節輸出電阻、可調節電流傳感比率、可實現片上智能數字控制。
 

     一直以來，高功率密度電動汽車電力驅動系統是新一代大功率電動汽車發展的主要挑戰，寬禁帶功率器件的應用，將對新一代電動汽車的發展產生重要影響。德國亞琛工業大學教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應用中的加速采用的報告，分享了目前的發展現狀及AIXTRON的策略。

     近年來，垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續厚氮化鎵層具有挑戰性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。

      中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態以及研究成果。

       電子科技大學教授明鑫帶來了功率GaN器件驅動技術的報告，分享了該技術領域的最新進展。