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第十五屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議第三輪會議通知

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2018-07-25 來源:中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):449
   時間:2018年8月21-24日

  地點(diǎn):江西·井岡山·井岡山衡山大酒店
 
  主辦單位:中國有色金屬學(xué)會
 
  承辦單位:南昌大學(xué)
 
  國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA
 
  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)
 
  國家硅基LED工程技術(shù)研究中心
 
  半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
 
  協(xié)辦單位:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
 
  一、會議簡介
 
  金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)技術(shù)自二十世紀(jì)六十年代提出以來,取得了飛速進(jìn)步,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于制備氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半導(dǎo)體材料及其量子結(jié)構(gòu),極大地推動了光電器件和電子器件的發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化,也成為半導(dǎo)體超晶格、量子阱、量子線、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)材料與器件研究的關(guān)鍵技術(shù)。未來MOCVD技術(shù)的發(fā)展將會給化合物半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來更為廣闊的前景。
 
  (1)作為MOCVD技術(shù)和化合物半導(dǎo)體材料器件研發(fā)交流的平臺,自1989年第一屆會議舉辦以來,“全國MOCVD學(xué)術(shù)會議”已經(jīng)成功舉辦了十四屆,會議規(guī)模和影響力越來越大,成為全國學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界廣泛參與的學(xué)術(shù)盛會。本次會議選擇在紅色文化聞名中外的江西井岡山舉行,來自祖國大陸和港澳臺地區(qū)的與會專家學(xué)者、工程技術(shù)人員和企業(yè)家將在MOCVD生長機(jī)理與外延技術(shù)、MOCVD設(shè)備(整機(jī)/部件/配件/原材料)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件、LED智能照明與物聯(lián)網(wǎng)、半導(dǎo)體激光器、光伏/光探測器、可見光通信技術(shù)等領(lǐng)域開展廣泛交流,了解發(fā)展動態(tài),促進(jìn)相互合作。這次會議必將對我國MOCVD學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。
 
  二、組織機(jī)構(gòu)
 
  名譽(yù)主席:曹健林(國家科技部原副部長)
 
  會議主席:江風(fēng)益(南昌大學(xué)教授)吳玲(國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長)
 
  顧問委員會(以姓氏筆畫為序):王占國、王立軍、王圩、王啟明、王曦、甘子釗、劉明、劉紀(jì)美、許寧生、蘇炎坤、李樹深、楊德仁、陳良惠、范希武、鄭有炓、郝躍、侯洵、賈明星、夏建白、黃如、黃維、褚君浩
 
  程序委員會:
 
  主任: 江風(fēng)益(南昌大學(xué)), 李晉閩 (中科院半導(dǎo)體所), 張榮 (廈門大學(xué))
 
  委員(以姓氏筆畫為序):王向武、王軍喜、王國宏、王鋼、王曉亮、王新強(qiáng)、云峰、葉志鎮(zhèn)、馮志紅、申德振、畢文剛、朱曉東、劉國旭、劉雷、劉榕、湯子康、孫祥禎、杜志游、杜國同、李秉杰、李清庭、楊志忠、楊煥文、楊輝、肖志國、何杰、沈波、張乃千、張偉、張守進(jìn)、張國義、張韻、陸衛(wèi)、陸海、陳弘達(dá)、陳剛毅、陳凱軒、陳堂勝、陳敬、武東星、范廣涵、范健、羅毅、單崇新、趙德剛、郝茂盛、顧書林、徐現(xiàn)剛、徐科、徐宸科、高濤、高煥芝、高鴻楷、郭世平、郭浩中、郭霞、康俊勇、韓仲、曾一平、蔡樹軍、黎大兵、潘慶、潘毅
 
  組織委員會:
 
  主任:劉軍林(南昌大學(xué))、 阮軍 (CSA)
 
  副主任: 徐龍權(quán)(南昌大學(xué))
 
  委員(以姓氏筆畫為序):于彤軍、王光緒、劉揚(yáng)、劉斌、孫錢、李忠輝、李述體、吳瓊、汪萊、張進(jìn)成、張佰君、張保平、張家宏、張?jiān)礉㈥愰L清、陳鵬、胡曉東、涂長峰、曹峻松、程凱、熊志華、戴江南
 
  三、會議地點(diǎn)
 
  1.會場安排
 
  江西省井岡山市
 
  2.會議住宿
 
  會議酒店及周邊酒店,詳細(xì)信息請參考大會官網(wǎng)。
 
  四、主要日程
 
  
 
  五、大會主題
 
  MOCVD與智能光電
 
  六、會議征文
 
  1.征文主題方向
 
  1)外延生長機(jī)理和生長動力學(xué)
 
  2)外延結(jié)構(gòu)與物性
 
  3)光電子材料與器件
 
  4)電子材料與器件
 
  5)其他材料與器件
 
  6)封裝技術(shù)及封裝材料
 
  7)設(shè)備研制與開發(fā)
 
  8) 襯底、MO源、高純氣體等基礎(chǔ)材料
 
  2.征文要求
 
  (1)符合上述內(nèi)容的論文摘要;
 
  (2)論文摘要主題突出、內(nèi)容層次分明、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、論述嚴(yán)謹(jǐn)、結(jié)論明確、采用法定計(jì)量單位;
 
  (3)論文摘要須以WORD文檔格式,包含標(biāo)題、作者及其單位地址、正文、參考文獻(xiàn)等在內(nèi)不超過一頁A4紙。相關(guān)模板可登錄大會官網(wǎng)(網(wǎng)址:http://www.mocvd.org
 
  (4)所有論文摘要均編入會議文集,優(yōu)秀論文將被推薦到發(fā)光學(xué)報(bào)(EI)發(fā)表。
 
  七、重要截止日期
 
  1.報(bào)告提交截止時間:2018年6月15日
 
  2.報(bào)告錄用通知時間:2018年7月13日
 
  3.注冊費(fèi)優(yōu)惠截止日:2018年7月13日
 
  八、會議注冊費(fèi)
 
  1.普通代表(A類票):
 
  2500元(含會議文集、日程等會議資料及會議期間相關(guān)服務(wù))
 
  2.學(xué)生代表(B類票):
 
  2000元(與普通代表會議待遇相同,但須提交相關(guān)證件)
 
  3.7月13日前報(bào)名繳費(fèi)可享受優(yōu)惠:
 
  普通代表2300元;學(xué)生代表1800元。
 
  九、注冊費(fèi)繳費(fèi)方式
 
  1.通過銀行匯款
 
  開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行
 
  賬號:336356029261
 
  名稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
 
  2.現(xiàn)場繳費(fèi)(接受現(xiàn)金和刷卡)
 
  十、會議信息及聯(lián)系人
 
  1.會議網(wǎng)站:<http://www.mocvd.org.cn>
 
  2.聯(lián)系人:
 
  論文征集
 
  方芳:18679108131   E:papertomocvd15@ncu.edu.cn
 
  參會咨詢
 
  劉輝:010-82381880       E:liuh@china-led.net
 
  張亞芹:010-82387600-655  E:zhangyq@china-led.net
 
  商務(wù)合作
 
  張威威:13681329411       E:zhangww@china-led.net
 
  賈欣龍:18310277858       E:jiaxl@china-led.net
 
  許薊鴻:13466648667       E:xujh@china-led.net
 
  大會熱烈歡迎MOCVD及相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流!
 
  第十五屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議組委會
  (國家硅基LED工程技術(shù)研究中心代章)
  2018年7月25日
 
 
 
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