第三代半導體材料是提升新一代信息技術核心競爭力的重要支撐，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料，因具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、能源互聯網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景。近日，科技部高新司在北京組織專家組對“十二五”國家863計劃新材料技術領域“高質量第三代半導體材料關鍵技術”主題項目進行了驗收。
該項目突破了高質量6英寸4H-SiC單晶襯底、高質量4英寸GaN自支撐襯底、6-8英寸Si襯底上GaN基電子材料與器件、綠光發光器件用高In組分氮化物外延生長、深紫外發光器件用高Al組分氮化物外延生長等核心關鍵技術，完成了2英寸GaN自支撐襯底的規?；a，實現了高Al組分AlGaN基深紫外光泵浦激射，開發了基于鈣鈦礦氧化物材料的紫外光電探測器件原型。項目為我國第三代半導體產業的發展奠定了堅實的基礎，對支撐我國新一代信息技術、節能環保等產業發展以及國防建設具有重大意義。
“十三五”期間，為進一步推動我國材料領域科技創新和產業化發展，科技部制定了《“十三五”材料領域科技創新專項規劃》，將“戰略先進電子材料”列為發展重點之一，以第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示為核心，以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點，推動跨界技術整合，搶占先進電子材料技術的制高點。
