近日，依托山東天岳申報的“碳化硅半導體材料研發(fā)技術國家地方聯(lián)合工程研究中心”獲國家發(fā)改委正式批復，這是山東天岳在國家級科技創(chuàng)新平臺建設方面取得的又一新突破。

 

　　山東天岳一直以來高度重視技術創(chuàng)新和研發(fā)平臺建設，積極整合國內外領先的科技研發(fā)資源，建有國家級博士后科研工作站、2個省級研發(fā)平臺和4個海外研發(fā)中心，并與國內多所大學和科研院所建有聯(lián)合研發(fā)實驗室。公司依托強大的平臺資源和人才優(yōu)勢，先后承擔國家重大課題12項，有力的推動了我國寬禁帶半導體領域的技術進步和產業(yè)發(fā)展。

 

　　國家地方聯(lián)合工程研究中心是國家創(chuàng)新體系建設的重要組成部分，在構建各具特色和優(yōu)勢的區(qū)域創(chuàng)新體系、提高創(chuàng)新驅動發(fā)展能力中發(fā)揮著重要作用。

 

　　山東天岳將以此次國家級研發(fā)平臺批復為契機，加快推進中心建設，優(yōu)化運行管理，著力提高研發(fā)、工程化試驗能力，完善產學研合作機制，進一步加強協(xié)同創(chuàng)新，為我國碳化硅半導體產業(yè)的發(fā)展做出更大貢獻。