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中科大半導(dǎo)體量子芯片研究取得新突破

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2018-01-04 來源:合肥日?qǐng)?bào)瀏覽次數(shù):507
  記者昨日從中科大獲悉,該校郭光燦院士領(lǐng)導(dǎo)的中科院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室郭國(guó)平研究組,最近在半導(dǎo)體量子芯片研究方面取得新突破,他們創(chuàng)新性地引入第三個(gè)量子點(diǎn)作為控制參數(shù),在保證新型雜化量子比特相干性的前提下,極大地增強(qiáng)了雜化量子比特的可控性。
 
  由于固態(tài)系統(tǒng)環(huán)境復(fù)雜,量子比特的超快操控與長(zhǎng)相干往往不可兼得。為了提高半導(dǎo)體量子芯片雜化量子比特的可控性,郭國(guó)平研究組將非對(duì)稱思想運(yùn)用到研究中,把原有的雙量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)擴(kuò)展成線性耦合三量子點(diǎn)系統(tǒng)。他們通過理論計(jì)算分析發(fā)現(xiàn),當(dāng)中間量子點(diǎn)與其兩側(cè)量子點(diǎn)耦合強(qiáng)度非對(duì)稱時(shí),電子在雙量子點(diǎn)中演化的能級(jí)結(jié)構(gòu)可以被第三個(gè)量子點(diǎn)高效地“間接”調(diào)控。
 
  在實(shí)驗(yàn)中,他們首先通過半導(dǎo)體納米加工工藝精確制備出非對(duì)稱耦合三量子點(diǎn)結(jié)構(gòu),再利用電子的原子殼層結(jié)構(gòu)填充原理,巧妙地化解多電子能級(jí)結(jié)構(gòu)復(fù)雜性這一難題,構(gòu)造了具有準(zhǔn)平行能級(jí)的雜化量子比特。在保證比特相干時(shí)間的情況下,通過調(diào)節(jié)第三個(gè)量子點(diǎn)的電極電壓,清晰地觀察到比特能級(jí)在2~15吉赫范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。
 
  該成果發(fā)表在最新一期國(guó)際應(yīng)用物理學(xué)頂級(jí)期刊《應(yīng)用物理評(píng)論》上,為半導(dǎo)體量子計(jì)算提供了一種新的調(diào)控思路。
 
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