時代電氣半導體事業部SiC芯片線已于12月份完成全部工藝能力調試。該芯片線是國內首條6英寸SiC芯片生產線，總建設投資3.5億人民幣，是公司的重點投資項目，同時也獲得了國家“02”專項、國家發改委新材料專項等國家重點項目支持。
半導體事業部SiC器件產業建設團隊在時間緊、任務重、無成熟經驗可借鑒的情況下，攻堅克難，通過縝密繁雜的各方協調、積極推進，先后安全完成工藝、檢測、測試設備搬入、調試，SiC線的特殊廠務系統調試等一系列高難度、高危險的任務，為SiC工藝設備提供源源不斷、穩定可靠的“糧食”供應。12月份，在各方共同努力下完成了最后一項工藝能力調試。目前，該芯片線廠務、動力、工藝、測試條件都已完備，具備SiC產品生產條件，可同時開展高溫離子注入工藝、柵極氧化氮化工藝等SiC 器件特有工藝的生產線之一。該芯片線可以實現4寸及6寸SiC SBD、PiN、mosFET等器件的研發與制造。
SiC芯片線的工藝調試按時完成，助力公司半導體產業搶占市場先機，布局前沿技術領域，標志著我國SiC芯片產品的研發和制造能力獲得了跨越式的發展，也使得國產SiC芯片在國際上的競爭力得到大幅度提升。
時代電氣半導體事業部SiC芯片線已于12月份完成全部工藝能力調試。該芯片線是國內首條6英寸SiC芯片生產線，總建設投資3.5億人民幣，是公司的重點投資項目，同時也獲得了國家“02”專項、國家發改委新材料專項等國家重點項目支持。
半導體事業部SiC器件產業建設團隊在時間緊、任務重、無成熟經驗可借鑒的情況下，攻堅克難，通過縝密繁雜的各方協調、積極推進，先后安全完成工藝、檢測、測試設備搬入、調試，SiC線的特殊廠務系統調試等一系列高難度、高危險的任務，為SiC工藝設備提供源源不斷、穩定可靠的“糧食”供應。12月份，在各方共同努力下完成了最后一項工藝能力調試。目前，該芯片線廠務、動力、工藝、測試條件都已完備，具備SiC產品生產條件，可同時開展高溫離子注入工藝、柵極氧化氮化工藝等SiC 器件特有工藝的生產線之一。該芯片線可以實現4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發與制造。
SiC芯片線的工藝調試按時完成，助力公司半導體產業搶占市場先機，布局前沿技術領域，標志著我國SiC芯片產品的研發和制造能力獲得了跨越式的發展，也使得國產SiC芯片在國際上的競爭力得到大幅度提升。
