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揚(yáng)杰科技:契合產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律,鑄就功率半導(dǎo)體龍頭

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2017-12-22 來源:華爾街見聞瀏覽次數(shù):324
   公司是A股稀缺的具有高端產(chǎn)品和客戶布局,專注于功率半導(dǎo)體的IDM(設(shè)計+制造+封測一體化)優(yōu)質(zhì)企業(yè),2016年中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)排名第2位,長期以來堅持品牌經(jīng)營和一體化布局,通過產(chǎn)品創(chuàng)新和渠道融合,已綜合構(gòu)建較高的市場拓展能力和盈利能力;未來在現(xiàn)有基礎(chǔ)上將堅定內(nèi)生+外延兼顧的發(fā)展戰(zhàn)略,開啟嶄新發(fā)展時期。
 
  ①   鞏固已有產(chǎn)品在消費電子和民用市場的優(yōu)勢,積極推進(jìn)拓展軌道交通、電力電網(wǎng)、汽車電子(含新能源汽車)、以及軍工領(lǐng)域,持續(xù)實現(xiàn)市場擴(kuò)容和產(chǎn)品附加值提升。
 
  ②   IDM發(fā)展模式注重工藝積累,過去幾年為功率半導(dǎo)體器件升級夯實基礎(chǔ),在保持大功率二級管整流橋優(yōu)勢的前提下,已對MOSFET進(jìn)行了充分儲備并取得突破,未來積極研發(fā)和布局IGBT產(chǎn)品,相對傳統(tǒng)業(yè)務(wù)開拓更大市場空間和更高產(chǎn)品附加值領(lǐng)域,更能滿足客戶多樣化需求,符合國際大廠發(fā)展Si基功率半導(dǎo)體的趨勢。
 
  ③  堅持內(nèi)生+外延發(fā)展戰(zhàn)略,前瞻把握并積極落地第三代功率半導(dǎo)體等新材料器件,近幾年公司外延戰(zhàn)略從產(chǎn)品到渠道,均取得積極且穩(wěn)健的發(fā)展格局,2017年1月25日聯(lián)合建廣資產(chǎn)(其完成恩智浦NXP兩部分資產(chǎn)收購,18億美元的RF Power部門和27.5億美元的標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù))控股廣盟半導(dǎo)體,即間接參股瑞能半導(dǎo)體獲得高功率轉(zhuǎn)換器件先進(jìn)技術(shù),并獲得穩(wěn)定的SiC芯片供應(yīng)渠道,在公司原有SiC封裝基礎(chǔ)上實現(xiàn)一體化模式,有利于SiC銷售和推廣。與建廣資產(chǎn)的初步合作,或?qū)⒔o公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)帶來做大做強(qiáng)的寶貴協(xié)同機(jī)會。在功率半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)競爭中,公司已有產(chǎn)業(yè)格局和融資平臺優(yōu)勢逐步顯現(xiàn),預(yù)計未來內(nèi)生和外延并重的戰(zhàn)略,迎來持續(xù)快速發(fā)展機(jī)遇。
 
  ■產(chǎn)線迭代+工藝積累,募投項目實現(xiàn)產(chǎn)品升級:整流二極管-MOSFET-IGBT在結(jié)構(gòu)和技術(shù)上有一定的繼承性,公司先在傳統(tǒng)優(yōu)勢整流二極管上積累經(jīng)驗,逐步推進(jìn)至MOSFET和IGBT,戰(zhàn)略規(guī)劃由4英寸、6英寸過渡到8英寸,穩(wěn)扎穩(wěn)打積累經(jīng)驗。從4英寸-6英寸-8英寸產(chǎn)線的迭代,到二極管-MOSFET-IGBT工藝的積累,都可以看到公司在戰(zhàn)略層面思路清晰,技術(shù)路線規(guī)劃明確。
 
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