一代材料，一代器件，一代裝備，一代應(yīng)用。第三代半導(dǎo)體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁帶氧化物，具備擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

　　為助力中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展提質(zhì)增效，更好地整合國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢資源，實現(xiàn)中國半導(dǎo)體行業(yè)迅速崛起。2017年11月1日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦的第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。會期兩天半，同期二十余場次會議。2日上午，舉行的“碳化硅材料與器件分會”上，來自國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當(dāng)中的應(yīng)用主題報告。

　　他表示，所有的技術(shù)都有一個發(fā)展過程，尤其對于電網(wǎng)來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。其中對電網(wǎng)整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內(nèi)國際進(jìn)展進(jìn)行了細(xì)致介紹。他表示，預(yù)期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應(yīng)當(dāng)是可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應(yīng)該可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣來說對電網(wǎng)的預(yù)期是整體上革命性的變化。

 

　　對電網(wǎng)應(yīng)用的器件來說，首先的話是新能源發(fā)電這一部分，各種分布式接入、以及輸送，以及到最后配電、變電以及到最后的應(yīng)用部分，所有這一塊碳化硅進(jìn)入之后，都將改變現(xiàn)在的輸電系統(tǒng)的裝備以及一定系統(tǒng)的布局。如果碳化硅進(jìn)入之后，現(xiàn)在的電網(wǎng)將會從剛性電網(wǎng)變成柔性的半導(dǎo)體電網(wǎng)，這樣的話電網(wǎng)才能真正地實現(xiàn)智能電網(wǎng)，實現(xiàn)靈活可控。（根據(jù)現(xiàn)場速記整理，如有出入敬請諒解?。?/span>