2017年11月1日-3日，第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇同時(shí)得到了科技部、發(fā)改委、國(guó)標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會(huì)如期舉行。分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢(shì)，積極推動(dòng)我國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA，廣西大學(xué)杰出教授、臺(tái)灣大學(xué)榮退教授馮哲川， 西安交通大學(xué)教授王宏興，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學(xué)教授陶緒堂，鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授單崇新，河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王晶晶，山東大學(xué)/濟(jì)南中烏新材料有限公司王?，|等來自國(guó)內(nèi)外的重量級(jí)嘉賓出席并帶來了精彩報(bào)告。中科院微電子所教授，中國(guó)科學(xué)院院士劉明與廈門大學(xué)校長(zhǎng)、南京大學(xué)教授張榮共同主持了本屆分會(huì)。

 

　　會(huì)上，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) β-Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果?；?beta;型氧化鎵所生產(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個(gè)重要問題，在自然能源不斷減少，價(jià)格不斷上升的背景下，我們需要找到一個(gè)更加有效的方式來利用能源。當(dāng)前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域，包括高鐵和智能電網(wǎng)等，硅仍然是主導(dǎo)材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢(shì)的地方。

 

　　β型氧化鎵具有禁帶寬度寬，兼容性比較長(zhǎng)，同時(shí)熱傳導(dǎo)性也非常有優(yōu)勢(shì)。功率器件很多情況下是可以使用氧化鎵的。在使用寬禁帶材料的時(shí)候，可以大大縮小器件的體積，并且可以增加運(yùn)行的頻率，承受更高的電壓、電流和產(chǎn)出功率。

 

　　報(bào)告中，結(jié)合具體的實(shí)驗(yàn)過程，龍世兵介紹了目前其團(tuán)隊(duì)在肖特基二極管設(shè)備方面使用β型氧化鎵的研究成果。他表示，功率電極管與晶體管是相互依存的，可以用于肖特基二極管等，制造過程中需要100的速率，肖特基二極管表現(xiàn)出了非常好的性能。