2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，“超寬禁帶半導體及其它新型半導體材料”分會如期舉行。分會重點關注超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，聚焦超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新應用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA，廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川， 西安交通大學教授王宏興，中國科學院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學教授陶緒堂，鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新，河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學院院士劉明與廈門大學校長、南京大學教授張榮共同主持了本屆分會。

 

　　會上， 西安交通大學教授王宏興分享了微機電系統單晶金剛石微結構的制備方法。金剛石半導體有大量的工業應用前景，通常在生長金剛石晶體的時候，必須要使用金剛石基底，這與其他半導體材料略有些區別。王宏興分享了摻雜工藝和器件開發以及外延技術的話題，以及使用單晶的金剛石基底，進行金剛石生長制造等話題。他同時表示，目前其團隊已開發出非常理想的微型晶片，也開發除了雙側微型晶片，已經體現出比較好的，比較理想的晶片列陣的方式，性能也比較優越。

 

　　資料顯示，王宏興曾承擔和主持包括國家基金委重大儀器專項、科技部“863計劃”、“十三五”重點研發、國家自然科學基金、陜西省統籌等7項項目，相關研究已初步實現小規模產業化。在III-V族半導體薄膜外延生長及發光器件，大面積金剛石襯底及高質量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發射陰極、場致發射光源及其他場致發射電子器件，MOCVD設計開發、特殊直流CVD設計開發、微波等離子體CVD的設計開發等領域做出了許多創新性工作。

 

　　他目前現在的研究領域包括寬禁帶半導體高溫、高效、大功率微波器件、電力電子器件、發光器件的研究；大面積、高質量寬禁帶半導體襯底的研究；電子器件級高質量寬禁帶半導體單晶薄膜及摻雜方法的研究；基于寬禁帶半導體的傳感器和成像探測器的研究；新型化學氣相沉積（CVD）系統等關鍵設備的研制；金剛石MEMS結構與器件；金剛石NV量子相干調控.