2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導(dǎo)體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會如期舉行。分會重點關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA，廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川， 西安交通大學教授王宏興，中國科學院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學教授陶緒堂，鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新，河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內(nèi)外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學院院士劉明與廈門大學校長、南京大學教授張榮共同主持了本屆分會。

 

　　會上，廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關(guān)于Ga2O3薄膜的光學和結(jié)構(gòu)特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導(dǎo)體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態(tài)照明及LED 領(lǐng)域的11-本英文專著，發(fā)表過650多篇學術(shù)論文(超過250篇SCI收錄)引用超3500次。

 

　　報告中，馮哲川集中介紹了XPS、GIS兩種技術(shù)測量，并且通過不同的樣板展示了氧化鎵在藍寶石基底之上進行生長的情況，以及氧化鎵在砷化鎵基底上生長的情況，將不同生長情況進行比較，同時使用厚度劑，以不同的測角和不同的氣溫來獲得相關(guān)數(shù)值，來觀察氧化鎵在藍寶石基底上進行生長的過程和溫度之間的相關(guān)關(guān)系。馮哲川表示，在這個過程當中摻雜使用鋁或者是鋅這兩種方式，這跟它們不同的數(shù)值也是有一定的關(guān)系的。