2017年11月1-3日，在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和北京順義區(qū)人民政府主辦的2017國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。

 

　　大會圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。

 沙特國王科技大學(xué)助理教授李曉航

　　11月3日上午， IFWS 2017之第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外器件技術(shù)分會如期召開。中國電子科技集團第十三研究所、專用集成電路重點實驗室為本次分會提供了協(xié)辦支持。分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。

 

　　日本理化學(xué)研究所量子光電設(shè)備實驗室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大學(xué)教授三宅秀人、北京大學(xué)副教授許福軍、中科院半導(dǎo)體研究所研究員張韻、華中科技大學(xué)教授陳長清、南京電子器件所工程師LUO Weike、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。北京大學(xué)物理學(xué)院教授、理學(xué)部副主任沈波和南京大學(xué)教授陸海共同主持了本屆分會。

 

　　沙特國王科技大學(xué)助理教授李曉航做了基于藍(lán)寶石和B-III-N合金的III族氮化物深紫外激光器的演講報告。中國和沙特目前是全面戰(zhàn)略伙伴關(guān)系，是中國“一帶一路”在中東和北非地區(qū)的支點，雙方建立了很強的聯(lián)系。沙特國王科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體的研究目前包括材料表征和物理特性、納米器件和光通信、寬禁帶材料器件、超寬禁帶材料器件等方面。李曉航結(jié)合具體的實踐分享了深紫外激光的研究成果，包括具體實驗過程及解決方案。

 

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