2017年11月1-3日，在科技部、發改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和北京順義區人民政府主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。

 

　　大會圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用，設置了包括第三代半導體與固態紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

 

　　11月3日上午，IFWS 2017之第三代半導體固態紫外器件技術分會如期召開。中國電子科技集團第十三研究所、專用集成電路重點實驗室為本次分會提供了協辦支持。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。

　　北京大學副教授許福軍做了關于納米圖案藍寶石基板生長高質量的AlN和AlGaN量子阱的報告。結合具體的實驗方案和細節，分享了氮化鋁和量子阱的生長情況以及相關的研究成果。

 

　　其中，許福軍表示，總結對比國際上關于氮化鋁外延采用的一些主要方法，包括脈沖法等，會發現圖形襯底方法，在氮化鋁晶體量控制的穩定性、可重復性方面非常有優勢。早期嘗試在微米圖形基礎上做氮化鋁的控制，會存在幾方面的問題，比如周期比較長，會導致聚合的厚度比較厚，這對氮化鋁的生長會是個嚴重的挑戰等。此外許福軍分析了納米控制氮化鋁的缺陷主要物理過程的解決方案等內容。