2017年11月1-3日，在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和北京順義區(qū)人民政府主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。

 

　　大會圍繞第三代半導體的前沿發(fā)展和技術應用，設置了包括第三代半導體與固態(tài)紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。

 

　　11月3日上午， IFWS 2017之第三代半導體固態(tài)紫外器件技術分會如期召開。中國電子科技集團第十三研究所、專用集成電路重點實驗室為本次分會提供了協(xié)辦支持。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。

 

　　日本理化學研究所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大學教授三宅秀人、北京大學副教授許福軍、中科院半導體研究所研究員張韻、華中科技大學教授陳長清、南京電子器件所工程師LUO Weike、中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波和南京大學教授陸海共同主持了本屆分會。

 日本理化學研究所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA

　　會上，日本理化學研究所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA介紹了高效率AlGaN深紫外LED的研究進展。紫外LED有非常大的市場需求，在除菌、消毒、3D打印等領域有很大的市場潛力。其中，UVCLED的效率是由相應的一些因素所造成，Hideki HIRAYAMA結合具體的研究過程，重點介紹了關于UVCLED效率提升技術。此外，他分享了通過光晶體反射進一步提升光提取效率的研究成果，通過比較，光晶體事實上反射率的表現(xiàn)是非常卓越的，如果在使用光晶體的同時，也加入高反射電極的話，那LED的表現(xiàn)就會進一步的得到改善。最理想的狀況當中，反射率可以超過90%。Hideki HIRAYAMA表示，高反射度的光晶體目前也被確定成為是可以進一步提高光提取效率的一種器件，未來發(fā)展當中， UVC達到40%是目標，其中可以利用鏡片高反射度的光晶體等。