2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，IFWS 2017之第三代半導體與微波射頻技術分會如期舉行。分會由中國電子科技集團第十三研究所和專用集成電路重點實驗室協辦，主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面，邀請國內外知名專家參加會議，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。

 

　　英國布里斯托大學教授Martin KUBALL、中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅、西安電子科技大學副教授鄭雪峰、南京電子器件研究所高級工程師吳少兵、中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利、荷蘭Ampleon公司WLR可靠性專家陶國橋等國內外相關領域專家分享各自的研究成果。中國電子科技集團公司第十三研究所副所長、研究員級高工蔡樹軍，蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持本次分會。

 

　　中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術標準委員會專家，研究方向為太赫茲固態電子器件、先進半導體材料與器件。

 

　　其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結構更加優化，也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域，希望增加輸出功率。結合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低頻率并不是一個很好的方式。尋求新的技術和結構，超薄的屏障層，較低的層級電阻，較高的擊穿是非常重要的。此外，馮志紅還介紹了兩種結構對于AIN的挑戰，以及關于可靠性的研究成果。