2017年11月1日-3日，第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開(kāi)。論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇同時(shí)得到了科技部、發(fā)改委、國(guó)標(biāo)委和北京市科委等主管部門(mén)的大力支持。

 

　　11月2日下午，IFWS 2017之“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會(huì)如期舉行。分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢(shì)，積極推動(dòng)我國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA、廣西大學(xué)杰出教授、臺(tái)灣大學(xué)榮退教授馮哲川， 西安交通大學(xué)教授王宏興，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學(xué)教授陶緒堂，鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授單崇新，河北半導(dǎo)體研究所專(zhuān)用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王晶晶，山東大學(xué)/濟(jì)南中烏新材料有限公司王希瑋等來(lái)自國(guó)內(nèi)外的重量級(jí)嘉賓出席并帶來(lái)了精彩報(bào)告。中科院微電子所教授，中國(guó)科學(xué)院院士劉明與廈門(mén)大學(xué)校長(zhǎng)、南京大學(xué)教授張榮共同主持了本屆分會(huì)。

 

　　山東大學(xué)/濟(jì)南中烏新材料有限公司王希瑋介紹了高溫高壓?jiǎn)尉?shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)金剛石技術(shù)，分享關(guān)于設(shè)備，晶體的生長(zhǎng)、切割等研究成果。其中，王希瑋表示，晶體的生長(zhǎng)，必須要有很高的溫度、壓力，而且很重要的是必須要有金屬催化劑，這也是重要前提條件。