毫米波固態(tài)功率放大器是現(xiàn)代化軍事裝備的重要組成部分，其在W波段需要的發(fā)射端輸出功率達(dá)數(shù)瓦或更高。

 

　　2017年11月1日-3日，第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇同時(shí)得到了科技部、發(fā)改委、國(guó)標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，IFWS 2017之第三代半導(dǎo)體與微波射頻技術(shù)分會(huì)如期舉行。分會(huì)由中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所和專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦，主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計(jì)與制造、可靠性技術(shù)及其在移動(dòng)通信中的應(yīng)用等各方面，邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專家參加會(huì)議，呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進(jìn)展。

 

　　英國(guó)布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅、南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵、中興通訊股份有限公司射頻功放平臺(tái)總工劉建利、荷蘭Ampleon公司W(wǎng)LR可靠性專家陶國(guó)橋等國(guó)內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜曳窒砀髯缘难芯砍晒Ｖ袊?guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所副所長(zhǎng)、研究員級(jí)高工蔡樹軍，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千共同主持本次分會(huì)。

 

　　會(huì)上，南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報(bào)告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細(xì)介紹了器件技術(shù)與制造工藝 、MMIC設(shè)計(jì)、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級(jí)功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長(zhǎng)100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。

 

　　吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，主持開發(fā)了基于0.1um GaN工藝的W波段功率放大器，基于70nm InP工藝的W波段低噪聲放大器及50nm G波段InP及GaN器件等，工藝水平及器件性能指標(biāo)達(dá)到W波段領(lǐng)域的國(guó)際先進(jìn)水平。